[发明专利]激光切割方法无效
申请号: | 200810302450.0 | 申请日: | 2008-06-30 |
公开(公告)号: | CN101618942A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 周祥瑞;何仁钦;黄俊凯;傅承祖 | 申请(专利权)人: | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司 |
主分类号: | C03B33/09 | 分类号: | C03B33/09 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201600上海市松江区松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 切割 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种激光切割方法,尤其涉及一种对显示面板进行切割的激光切割方法。
背景技术
在平面显示装置,如液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)的制造过程中,通常需要对面板,如玻璃基板等进行切割,以得到所需尺寸的玻璃基板。上述切割过程通常包括以下步骤:根据所需玻璃基板的尺寸要求对玻璃基板进行加热;对加热区域进行冷却以产生裂纹(blink crack),采用机械或手动方式分离出所需玻璃基板。具体可参阅Guo Dixin等人于2006年6月在International Joint Conference on Neural Networks,Page(s):11061111上发表的Laser Cutting Parameters Optimization Based on Artificial NeuralNetwork一文。
现有技术中,在对玻璃基板进行切割时,但遇有交叉切割之处,即两条裂纹相交的地方,其容易由于后产生之裂纹对先产生之裂纹的应力影响,而导致交叉处出现愈合现象(healing phenomenon)。当采用机械或手动方式分离该玻璃基板时,在裂纹的愈合处容易产生毛刺或是其它切割刻痕(laser mark),从而使得切割所得到的玻璃基板精度较低,难以达到工业生产要求。
有鉴于此,提供一种具较佳切割精度的激光切割方法实为必要。
发明内容
下面将以实施例说明一种激光切割方法,其可获得较佳的切割精度。
一种激光切割方法,用于使待加工物件产生裂纹,以沿该待加工物件上的裂纹分离出所需物件,该激光切割方法包括以下步骤:沿第一方向利用激光束照射待加工物件,以在该待加工物件上形成一个第一加热带;对该第一加热带进行冷却,以使该待加工物件沿该第一方向产生一个第一裂纹,该第一裂纹具有一个第一深度;沿与第一方向相交的第二方向利用激光束照射待加工物件,以在该待加工物件上形成一个第二加热带;对该第二加热带进行冷却,以使该待加工物件沿该第二方向产生一个第二裂纹,该第二裂纹具有一个第二深度,且该第二深度大于该第一深度。
相对于现有技术,本发明所提供的激光切割方法通过加热及冷却形成相交的第一裂纹与第二裂纹,其中,第二裂纹的第二深度大于第一裂纹的第一深度,由此,该激光切割方法可有效减少第二裂纹对第一裂纹的应力影响,从而有效降低切割刻痕(laser mark)产生的机率,保证切割后得到之物件具有较佳的切割精度。
附图说明
图1是本发明实施例提供的激光切割方法的流程图。
图28是本发明实施例提供的激光切割方法的过程示意图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明实施例作进一步详细说明。
请参阅图1,为本发明实施例提供的激光切割方法的流程图。该激光切割方法包括以下步骤:沿第一方向利用激光束照射待加工物件,以在该待加工物件上形成一个第一加热带;对该第一加热带进行冷却,以使该待加工物件沿该第一方向产生一个第一裂纹,该第一裂纹具有一个第一深度;沿与第一方向相交的第二方向利用激光束照射待加工物件,以在该待加工物件上形成一个第二加热带;对该第二加热带进行冷却,以使该待加工物件沿该第二方向产生一个第二裂纹,该第二裂纹具有一个第二深度,且该第二深度大于该第一深度。
请参阅图2至图8,为本发明实施例提供的激光切割方法的过程示意图,采用该激光切割方法可使待加工物件产生裂纹,从而可沿该待加工物件上的裂纹分离出所需物件。
如图2所示,在本实施中,所述待加工物件为一个基板20,如玻璃基板,或是陶瓷基板等,该基板20具有一个待加工表面200。
将基板20放置在一个工作台30上,利用该工作台30承载该基板20。可以理解的是,该工作台30可连接一个位移驱动装置40(其可包括齿轮,伺服马达等传动及动力部件),以利用该位移驱动装置40驱动该工作台30沿图2所示的XY方向移动。
如图3所示,接着,利用一个激光头50发射一激光束L至该待加工表面200,以对该基板20进行加热。
该位移驱动装置40作动,并驱动工作台30,以及承载在该工作台30上的基板20沿X方向移动,使得该激光束L相对该基板20沿着与X方向相反的第一方向移动,从而在该基板20的待加工表面200上形成一个第一加热带I,如图4所示。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司,未经富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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