[发明专利]一种高密度电能发射装置

权利要求书

1.一种高密度电能发射装置，其特征在于它包括：

一单片机；

第一、二驱动电路，其分别连接所述单片机的输出端；

第一、二脉冲变压器，其分别连接所述第一、二驱动电路的输出端；

第一、二整流电路，其分别连接所述第一、二脉冲变压器的输出端；

一三电极高压开关，其一端连接所述第一整流电路的输出端，另一端连接一球形触发开关，再另一端连接一发射线圈；所述球形触发开关的另一端连接所述第二整流电路的输出端；

一比较器，其一端连接所述第一整流电路的输出端，另一端连接所述单片机。

2.如权利要求1所述的一种高密度电能发射装置，其特征在于：所述第一驱动电路包括：第一缓冲驱动芯片的输入端连接在所述单片机的脉冲输出端，所述第一缓冲驱动芯片的输出端连接第一光电隔离器件的阳极端，所述第一缓冲驱动芯片的输出端还通过电阻R1连接电源，所述第一光电隔离器件的阴极端接地，所述第一光电隔离器件的发射极连接第二缓冲驱动芯片的输入端，所述第一光电隔离器件的发射极还通过电阻R2接地，所述第一光电隔离器件的集电极连接+5V电源，所述第二缓冲驱动芯片的输出端通过电阻R3连接+9V电源，所述第二缓冲驱动芯片的输出端还连接第一高速脉冲开关的栅极，所述第一高速脉冲开关源极接地、漏极连接所述第一脉冲变压器的原边发射线圈，所述第一脉冲变压器的原边发射线圈连接+9V电源。

3.如权利要求1所述的一种高密度电能发射装置，其特征在于：所述第二驱动电路包括：第三缓冲驱动芯片的输入端连接在所述单片机的放电控制端，所述第三缓冲驱动芯片的输出端连接第二光电隔离器件的阳极端，所述第三缓冲驱动芯片的输出端还通过电阻R9连接电源，所述第二光电隔离器件的阴极端接地，所述第二光电隔离器件的发射极连接第四缓冲驱动芯片的输入端，所述第二光电隔离器件的发射极还通过电阻R10接地，所述第二光电隔离器件的集电极连接+5V电源，所述第四缓冲驱动芯片的输出端通过电阻R11连接+9V电源，所述第四缓冲驱动芯片的输出端还连接第二高速脉冲开关的栅极，所述第二高速脉冲开关源极接地、漏极连接所述第二脉冲变压器的原边发射线圈，所述第二脉冲变压器的原边发射线圈连接+9V电源。

4.如权利要求1所述的一种高密度电能发射装置，其特征在于：所述第一整流电路包括：在所述第一脉冲变压器副边线圈通过二极管D1连接高压电容器C13，所述高压电容器C13的另一端与所述第一脉冲变压器副边线圈共同接地，在所述二极管D1和高压电容器C13两端并联连接二极管D4，所述二极管D4的阳极连接所述高压开关。

5.如权利要求1所述的一种高密度电能发射装置，其特征在于：所述第二整流电路包括：在所述第二脉冲变压器副边线圈通过二极管D2连接高压电容器C15，所述高压电容器C15的另一端与所述第二脉冲变压器副边线圈共同接地，在所述二极管D2和高压电容器C15的两端并联连接二极管D5，所述二极管D5的阳极接地。

6.如权利要求4所述的一种高密度电能发射装置，其特征在于：所述高压电容器C13两端并联连接分压电阻R4和R5，所述电阻R5两端并联连接滤波电容器C14，所述高压电容器C13的电压端通过电阻R12和发射线圈连接所述三电极高压开关的阳极，所述分压电阻R4和R5的接点连接所述比较器的反相输入端，所述比较器的输出端与所述单片机的反馈输入端连接，所述比较器的输出端连接串联分压电阻R6和R7，所述电阻R6和R7的接点连接所述比较器的同相输入端，所述电阻R7的一端接基准电压VR，所述比较器的输出端通过一稳压管D3接地。

7.如权利要求1所述的一种高密度电能发射装置，其特征在于：还包括一发射线圈中的电流测量系统，其包括：一罗果夫斯基线圈，一从所述罗果夫斯基线圈中心穿过的传输被测电流的导体，一测量电缆与所述罗果夫斯基线圈连接，所述测量电缆通过R、C积分电路连接一示波器。