[发明专利]一种CF显示面板以及加工方法

权利要求书

1.一种CF显示面板，其特征在于它包括钠钙玻璃基板，在所述的钠钙玻璃基板上设置有二氧化硅SiO₂膜层，在所述的二氧化硅SiO₂层上再设置一层AlNd膜层；所述的钠钙玻璃基板设置二氧化硅SiO₂层后的钠钙玻璃基板透过率为90.5～91.5％，二氧化硅SiO₂膜厚为设置AlNd层后的钠钙玻璃基板的反射率89～92％、方阻0.6～0.8Ω/□、所述的AlNd膜层厚度为

2.一种用于加工权利要求1中所述的CF显示面板的加工方法，其特征在于它包括如下工艺步骤：

A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗，再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；

B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O₂为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为70℃，镀膜室传动速度频率为17Hz，加热时间10分钟后，在4号室镀SiO₂，SiO₂溅射功率4500W、氧气O₂流量为30Sccm、铬Ar流量200～220Sccm、镀膜室真空度为4.0*10^-1Pa～4.5*10^-1Pa之间，加热15分钟后镀AlNd膜：总气压为0.40～0.45Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室铬Ar流量为200～220Sccm、镀膜室真空度4.0*10^-1Pa～4.5*10^-1Pa之间；所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO₂的膜厚为SiO₂透过率为90.5％、AlNd膜厚AlNd膜的反射率为89％、方阻为0.6Ω/□。

3.一种用于加工权利要求1中所述的CF显示面板的加工方法，其特征在于它包括如下工艺步骤：

A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗，再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；

B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O₂为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为65℃，镀膜室传动速度频率为14Hz，加热时间15分钟后，在4号室镀二氧化硅SiO₂，二氧化硅SiO₂溅射功率为4200W、氧气O₂流量为25Sccm、铬Ar流量180～200Sccm、镀膜室真空度3.5*10^-1Pa～4.0*10^-1Pa之间，加热20分钟后镀AlNd膜膜：总气压为0.35～0.40Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室Ar流量为180～200Sccm、镀膜室真空度3.5*10^-1Pa～4.0*10^-1Pa之间，所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO2膜厚为二氧化硅SiO2透过率为91.5％、AlNd膜厚为AlNd膜的反射率为90.5％、方阻为0.7Ω/□。

4.一种用于加工权利要求1中所述的CF显示面板的加工方法，其特征在于它包括如下工艺步骤：

A：清洗装片：在进行镀膜之前对钠钙玻璃进行超声波预清洗、再使用平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜，装片使用专用铝框防止绕射；

B：镀膜：镀膜采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机，用于与氧化硅SiO的相反应的气体纯度氧气O₂为99.99％、溅射气体为铬Ar，纯度为99.99％；钠钙玻璃基片加热温度为55℃，镀膜室传动速度频率为11Hz，加热时间20分钟后，在4号室镀SiO₂，SiO₂溅射功率4000W、氧气O₂流量为20Sccm、铬Ar流量160～180Sccm、镀膜室真空度3.0*10^-1Pa～3.5*10^-1Pa之间，加热30分钟后镀AL膜：总气压为0.3～0.35Pa，使用6个靶进行镀膜，镀膜室铬Ar流量为160～180Sccm、镀膜室真空度3.0*10^-1Pa～3.5*10^-1Pa之间所产出的CF显示面板中的二氧化硅SiO₂膜厚为二氧化硅SiO2透过率为91％、AlNd膜厚为AlNd膜的反射率为92％、方阻为0.8Ω/□。