[发明专利]一种多晶硅氢化炉用炭/炭发热体的制备方法有效
| 申请号： | 200810236546.1 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101478841A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李永军;侯卫权;肖志超;苏君明;彭志刚 | 申请（专利权）人： | 西安超码科技有限公司 |
| 主分类号： | H05B3/20 | 分类号： | H05B3/20;H05B3/62;C04B35/83;C01B33/107;C01B33/035 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 | 代理人： | 李子安 |
| 地址： | 71002*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 氢化 炉用炭 发热 制备 方法 | ||
1.一种多晶硅氢化炉用炭/炭发热体的制备方法，其特征在于制备过程 为：
(1)采用炭布与短炭纤维网胎交替叠层，构成平面纤维，在平面纤 维的厚度方向采用针刺工艺引入垂直纤维，制成三向结构发热体预制体， 预制体的密度为0.25～0.65g/cm3；所述炭布为6-48K平纹炭布，其中K 代表丝束千根数；
(2)化学气相渗透致密工艺：采用石墨工装将步骤(1)中的三向结 构发热体预制体内外定型，以丙烯或天然气为原料在高温850-1200℃下 裂解，对三向结构发热体预制体进行气相渗透致密处理；
(3)高真空度高温纯化处理工艺：步骤(2)中的三向结构发热体预 制体的密度≥1.30g/cm3时，在真空感应炉中对所述三向结构发热体预制体 进行高真空度高温纯化处理，所述高温是指温度为1500-2300℃，所述高 真空度是指真空度≤40Pa；步骤(2)中的三向结构发热体的密度＜1.30g/cm3时，重返步骤(2)；经高真空度高温纯化处理后的炭/炭发热体的电阻率 为25～60μΩ·m；
(4)机械加工工艺：对步骤(3)中经高真空度高温纯化处理的炭/ 炭发热体用铣床加工，钻床钻孔；
(5)对步骤(4)中经机械加工后的炭/炭发热体表面进行化学气相 沉积涂层处理，即制得高电阻和高纯度的多晶硅氢化炉用炭/炭发热体，所 述高电阻是指电阻值为0.06～0.25Ω，所述高纯度是指灰分≤800ppm，所述 表面化学气相沉积涂层的处理温度为900-1200℃。
2.按照权利要求1所述的一种多晶硅氢化炉用炭/炭发热体的制备方 法，其特征在于：所述炭/炭发热体的宽度为60～200mm，高度为 1000～4000mm。
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