[发明专利]顶部发光有机显示器的阳极结构及其制造工艺有效
申请号: | 200810233758.4 | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101459226A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 邓荣斌;季华夏 | 申请(专利权)人: | 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司 | 代理人: | 和 琳 |
地址: | 650000云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 顶部 发光 有机 显示器 阳极 结构 及其 制造 工艺 | ||
1.一种顶部发光有机显示器的阳极结构,是在硅衬底层(1)上镀膜形成电极,其特征在于硅衬底层(1)上镀的膜为四层膜,所述的四层膜从硅衬底层(1)向上分别是高纯铬膜层(2)、高纯铝膜层(3)、高纯铬膜层(4)和高纯钼膜层(5)。
2.如权利要求1所述的顶部发光有机显示器的阳极结构,其特征在于从硅衬底层(1)向上,高纯铬膜层(2)厚度为高纯铝膜层(3)厚度为高纯铬膜层(4)厚度为高纯钼膜层(5)厚度为
3.如权利要求1所述的顶部发光有机显示器的阳极结构制造工艺,其特征在于采用除射频溅镀法外的PVD法,包括以下工艺:
(1)在镀膜前,对硅衬底层(1)进行预热处理,预热温度为85℃,蒸镀腔腔体真空度为10-5Pa;
(2)金属镀膜,镀膜的顺序依次是高纯铬、高纯铝、高纯铬、高纯钼,镀膜的步骤如下:
A、硅衬底层(1)预热;
B、在预热后的硅衬底层(1)上镀高纯铬膜层(2),厚度为
C、在已镀的高纯铬膜层(2)上镀高纯铝膜层(3),厚度为
D、在已镀的高纯铝膜层(3)上镀高纯铬膜层(4),厚度为
E、在已镀的高纯铬膜层(4)上镀高纯钼膜层(5),厚度为
4.如权利要求3所述的顶部发光有机显示器的阳极结构制造工艺,其特征在于上述的B、C、D、E步骤按先后顺序一次完成生长过程。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南北方奥雷德光电科技股份有限公司,未经云南北方奥雷德光电科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810233758.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:利用燃气和电能补偿的太阳能节能系统及方法
- 下一篇:下排油烟式灶具一体机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择