[发明专利]顶部发光有机显示器的阳极结构及其制造工艺有效

专利信息
申请号: 200810233758.4 申请日: 2008-12-26
公开(公告)号: CN101459226A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 邓荣斌;季华夏 申请(专利权)人: 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 昆明祥和知识产权代理有限公司 代理人: 和 琳
地址: 650000云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 顶部 发光 有机 显示器 阳极 结构 及其 制造 工艺
【权利要求书】:

1.一种顶部发光有机显示器的阳极结构,是在硅衬底层(1)上镀膜形成电极,其特征在于硅衬底层(1)上镀的膜为四层膜,所述的四层膜从硅衬底层(1)向上分别是高纯铬膜层(2)、高纯铝膜层(3)、高纯铬膜层(4)和高纯钼膜层(5)。

2.如权利要求1所述的顶部发光有机显示器的阳极结构,其特征在于从硅衬底层(1)向上,高纯铬膜层(2)厚度为高纯铝膜层(3)厚度为高纯铬膜层(4)厚度为高纯钼膜层(5)厚度为

3.如权利要求1所述的顶部发光有机显示器的阳极结构制造工艺,其特征在于采用除射频溅镀法外的PVD法,包括以下工艺:

(1)在镀膜前,对硅衬底层(1)进行预热处理,预热温度为85℃,蒸镀腔腔体真空度为10-5Pa;

(2)金属镀膜,镀膜的顺序依次是高纯铬、高纯铝、高纯铬、高纯钼,镀膜的步骤如下:

A、硅衬底层(1)预热;

B、在预热后的硅衬底层(1)上镀高纯铬膜层(2),厚度为

C、在已镀的高纯铬膜层(2)上镀高纯铝膜层(3),厚度为

D、在已镀的高纯铝膜层(3)上镀高纯铬膜层(4),厚度为

E、在已镀的高纯铬膜层(4)上镀高纯钼膜层(5),厚度为

4.如权利要求3所述的顶部发光有机显示器的阳极结构制造工艺,其特征在于上述的B、C、D、E步骤按先后顺序一次完成生长过程。

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