[发明专利]基于数学形态学的集成电路版图优化方法

权利要求书

1.一种基于数学形态学的集成电路版图优化方法，包括如下过程：

a.将待估计的集成电路各层平面版图按线网编号；

b.对于平面版图上各线网对，提取由冗余物缺陷引起的短路带权关键面积；

c.对所提取的短路带权关键面积按线网对排序，并依据排序顺序依次对版图进行第一次优化，即改变版图的线网对间的距离，以减少短路带权关键积；

d.对于平面版图上各线网，提取由丢失物缺陷引起的开路带权关键面积；

e.对于所提取的开路带权关键面积，按线网排序，并依据排序结果依次对版图进行第二次优化，即加宽线网，使其开路待权关键面积减少；

f.重复过程b到e，直到优化完各层平面版图为止。

2.根据权利1所述的方法，其中步骤a所述的将待估计的集成电路各层平面版图按线网编号，按如下过程进行：

a1.将版图解码形成两色的多层平面版图；

a2.将各层平面版图转化为二值图；

a3.按列递增的顺序赋予二值图中各连通区域即线网以编号。

3.根据权利1所述的方法，其中步骤b所述的提取由冗余物缺陷引起的短路带权关键面积，按如下过程进行：

b1.对已标识的线网，确定各线网对的可视性；

b2.计算每一对可视线网对(N₁，N₂)的短路带权关键面积A_sss(N₁，N₂)为：

Asss(N1,N2)=Σd(Xc,Yc)∈M(AS(Xc,Yc,N1,N2)*P(Xc,Yc)*PW(Xc,Yc))]]>

式中，

SN₁＝ASD(X_c，Y_c，N₁，N₂)∩N₁，

SN₂＝ASD(X_c，Y_c，N₁，N₂)∩N₂，

U为并运算符号，∩为交运算符号，

ASD(X_c，Y_c，N₁，N₂)是线网N₁对随机缺陷d(Xc，Yc)的数学形态学膨胀运算和线网N₂对随机缺陷d(Xc，Yc)的数学形态学膨胀运算的交集，

A_S(X_c，Y_c，N₁，N₂)为线网对(N₁，N₂)间的短路关键面积，

P_w(X_c，Y_c)为缺陷d(Xc，Yc)在线网对(N₁，N₂)间的空白区域N_w上的概率，

M为当前工序层缺陷的集合，

d(Xc，Yc)为任意形状的缺陷，d(X_c，Y_c)∈M，(Xc，Yc)为缺陷的形心，

P(X_c，Y_c)为缺陷d(Xc，Yc)在粒径上发生的概率，

A_sss(N₁，N₂)为线网对(N₁，N₂)的带权关键面积。