[发明专利]利用单片机端口检测环境湿度的方法及单片机有效
| 申请号: | 200810216963.X | 申请日: | 2008-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN101403718A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
| 发明(设计)人: | 龙逸;刘建伟;首召兵 | 申请(专利权)人: | 深圳和而泰智能控制股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
| 代理公司: | 深圳市维邦知识产权事务所 | 代理人: | 黄 莉 |
| 地址: | 518000广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 单片机 端口 检测 环境 湿度 方法 | ||
1.一种利用单片机端口检测环境湿度的方法,其特征在于,该方法包括 以下步骤:
模拟信号采集步骤,通过湿敏电阻对连接在单片机端口上的电容进行充 电和放电,并记录所述充电过程耗费的时间,所述模拟信号采集步骤具体包 括:充电步骤:将单片机的端口P53置为输出状态、端口P52和端口P51置 为输入状态,端口P53输出高电平Vh,通过所述湿敏电阻对电容充电;放电 步骤:当端口P51的输入状态由低电平变为高电平后,将端口P53、端口P51 置为低电平,使电容通过电阻R103、湿敏电阻Rx、以及端口P51放电;及 计时步骤:记录并保存电容电压上升到端口P51的输入高电平门槛电压Vt 的时间Tmr;
阻抗计算步骤,根据记录的时间计算所述湿敏电阻的阻抗;
查表步骤,查找预设的阻抗和湿度对应关系表,获得所述阻抗对应的环 境湿度。
2.如权利要求1所述的利用单片机端口检测环境湿度的方法,其特征在 于,在所述阻抗计算步骤中,通过如下公式计算阻抗Rx:
Tmr=-ln(1-Vt/Vh)Rx*C;其中,C为所述电容容量。
3.如权利要求1所述的利用单片机端口检测环境湿度的方法,其特征在 于,在所述计时步骤之后阻抗计算步骤之前还包括步骤:
再充电步骤:
将单片机的端口P52置为输出状态、端口P53和端口P51置为输入状态, 端口P53输出高电平Vh,通过固定电阻R104对电容C101进行充电;
再计时步骤:
记录并保存电容电压上升到端口P51的输入高电平门槛电压Vt的时间 Tcr。
4.如权利要求3所述的利用单片机端口检测环境湿度的方法,其特征在 于,在所述阻抗计算步骤中,通过如下公式计算阻抗Rx:
Rx=(Tmr/Tcr)*R104。
5.一种利用自身端口检测环境湿度的单片机,其特征在于,所述单片机 包括有:
模拟信号采集单元,用于通过湿敏电阻对连接在单片机端口上的电容进 行充电和放电,并记录所述充电过程耗费的时间,所述模拟信号采集单元具 体包括有:充电单元:用于将单片机的端口P53置为输出状态、端口P52和 端口P51置为输入状态,通过所述湿敏电阻对电容充电;放电单元:与所述 充电单元相连,用于当端口P51的输入状态由低电平变为高电平后,将端口 P53、端口P51置为低电平,使电容通过R103、湿敏电阻Rx、以及端口P51 放电;及计时单元:与所述充电单元相连,用于记录并保存电容电压上升到 端口P51的输入高电平门槛电压Vt的时间Tmr;
阻抗计算单元,与所述模拟信号采集单元相连,用于根据其记录的时间 计算所述湿敏电阻的阻抗;
存储单元,用于存储预设的阻抗和湿度对应关系表;
查询单元,与所述阻抗计算单元和存储单元相连,用于在所述存储单元 中查找预设的阻抗和湿度对应关系表,获得所述阻抗对应的环境湿度。
6.如权利要求5所述的利用自身端口检测环境湿度的单片机,其特征在 于,所述阻抗计算单元通过如下公式计算阻抗Rx:
Tmr=-ln(1-Vt/Vh)Rx*C;其中,C为所述电容容量。
7.如权利要求5所述的利用自身端口检测环境湿度的单片机,其特征在 于,所述模拟信号采集单元进一步包括有:
再充电单元:
与所述放电单元相连,用于将单片机的端口P52置为输出状态、端口P53 和端口P51置为输入状态,端口P53输出高电平Vh,通过固定电阻R104对 电容C101进行充电;
再计时单元:
与所述再充电单元相连,用于记录并保存电容电压上升到端口P51的输 入高电平门槛电压Vt的时间Tcr。
8.如权利要求7所述的利用自身端口检测环境湿度的单片机,其特征在 于,所述阻抗计算单元通过如下公式计算阻抗Rx:
Rx=(Tmr/Tcr)*R104。
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