[发明专利]垂直磁记录磁头及其制造方法无效
| 申请号: | 200810214456.2 | 申请日: | 2008-08-26 |
| 公开(公告)号: | CN101388217A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
| 发明(设计)人: | 金恩植;鲜于国贤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127;G11B5/31 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 垂直 记录 磁头 及其 制造 方法 | ||
1.一种垂直磁记录磁头,其包括:
主磁极;
线圈,其围绕所述主磁极成为螺线管型以使所述主磁极产生在记录媒介 上记录数据所需的磁场;以及
返回磁轭,其与所述主磁极一起形成磁场的磁路并且具有与所述主磁极 相对设置的喉部,而且所述返回磁轭和所述主磁极之间具有间隙,
其中所述间隙设置在气垫面附近的一端比所述间隙的另一端薄,使得所 述喉部从所述间隙的所述另一端到所述间隙的设置在气垫面附近的所述一 端变细。
2.如权利要求1所述的垂直磁记录磁头,其中所述间隙为楔形。
3.如权利要求1所述的垂直磁记录磁头,其中所述主磁极向所述气垫面 变细。
4.如权利要求1所述的垂直磁记录磁头,其中所述间隙设置在所述气垫 面附近的所述一端具有15到40nm的厚度。
5.如权利要求4所述的垂直磁记录磁头,其中所述间隙的所述另一端具 有100nm到200nm的厚度。
6.如权利要求1所述的垂直磁记录磁头,其中所述线圈围绕所述主磁极 一次。
7.一种垂直磁记录磁头的制造方法,所述垂直磁记录磁头包括主磁极、 围绕所述主磁极成为螺线管型的线圈以及具有与所述主磁极相对设置的喉 部的返回磁轭,而且所述返回磁轭和所述主磁极之间具有间隙,所述方法包 括:
依次形成下线圈层、所述主磁极以及第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成上线圈层;
在所述上线圈层上形成第二绝缘层;
刻蚀所述第一绝缘层和所述第二绝缘层使得所述间隙设置在气垫面附 近的一端比所述间隙的另一端薄;以及
形成具有与所述主磁极相对设置的所述喉部的所述返回磁轭。
8.如权利要求7所述的方法,其中利用原子层沉积技术形成所述第一绝 缘层和所述第二绝缘层。
9.如权利要求7所述的方法,其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的 所述刻蚀还包括:
刻蚀所述主磁极使得所述主磁极从所述主磁极的靠近所述上线圈层的 另一部分向所述主磁极的靠近所述气垫面的端部变细;以及
沉积第三绝缘层以覆盖由所述刻蚀工艺暴露的所述主磁极的一部分和 所述上线圈层。
10.如权利要求9所述的方法,其中利用原子层沉积技术形成所述第三 绝缘层。
11.如权利要求7所述的方法,其中所述线圈围绕所述主磁极一次。
12.如权利要求7所述的方法,其中形成具有与所述间隙相对设置的所 述喉部的所述返回磁轭包括使所述返回磁轭形成为周围包裹型以围绕所述 主磁极设置在所述气垫面附近的端部。
13.一种垂直磁记录磁头,其包括:
主磁极;
单匝线圈,其围绕所述主磁极;以及
返回磁轭,其包括设置在所述主磁极上并接触所述主磁极的第一部分和 与所述主磁极分隔开以形成间隙的第二部分,
其中所述间隙设置在气垫面附近的一端比所述间隙的另一端薄。
14.如权利要求13所述的垂直磁记录磁头,其中所述间隙为楔形。
15.如权利要求13所述的垂直磁记录磁头,其中磁轭长度为2μm或者 更小。
16.如权利要求13所述的垂直磁记录磁头,其中所述主磁极由具有高于 所述返回磁轭的饱和磁通密度的磁性材料形成。
17.如权利要求16所述的垂直磁记录磁头,其中所述主磁极由选自 NiFe、CoFe和CoNiFe的材料形成。
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