[发明专利]电压电平移位器电路

权利要求书

1.一种电压电平移位器电路，包括：

第一功率电压端，将高电压电平的第一功率电压输入到该第一功率电压端；

使能端，将使能信号输入到该使能端；

第二功率电压端，将中间电压电平的第二功率电压输入到该第二功率电压端，其中该中间电压电平在该第一功率电压与该使能信号的高电压之间；

第一反相器和第二反相器，连接至该使能端；

第一晶体管，其源极连接至该第二反相器；

第二晶体管，其漏极连接至该第一晶体管的漏极，其源极连接至该第二功率电压端，其栅极连接至该第一反相器的输出端；

第三晶体管，其栅极连接至该第一晶体管的漏极；以及

第四晶体管，其栅极连接至该第一晶体管的漏极，其漏极连接至该第三晶体管的漏极，其源极连接至该第一功率电压端。

2.如权利要求1所述的电压电平移位器电路，其中该第三晶体管的源极接地。

3.如权利要求1所述的电压电平移位器电路，其中该第一晶体管的栅极连接至该第二功率电压端。

4.如权利要求1所述的电压电平移位器电路，其中该第三晶体管的漏极和该第四晶体管的漏极连接至输出端。

5.如权利要求1所述的电压电平移位器电路，其中该第一晶体管和该第三晶体管为NMOS晶体管。

6.如权利要求1所述的电压电平移位器电路，其中该第二晶体管和该第四晶体管为PMOS晶体管。

7.如权利要求4所述的电压电平移位器电路，其中当低电压信号施加到该使能端时，该第一反相器将该低电压信号反相为高电压信号，该第二反相器将经反相的高电压信号反相为低电压信号，该第二晶体管和该第三晶体管断开，该第一晶体管和该第四晶体管开启，该输出端输出高电压状态的信号。

8.如权利要求7所述的电压电平移位器电路，其中当该经反相的高电压信号输入到该第二晶体管的栅极并且该第二功率电压输入到该第二晶体管的源极时，该第二晶体管断开为中间电压状态。

9.如权利要求7所述的电压电平移位器电路，其中当经反相的低电压信号输入到该第一晶体管的源极并且低电压信号经由该第二晶体管的漏极输入到该第一晶体管的漏极时，该第一晶体管开启。

10.如权利要求4所述的电压电平移位器电路，其中当高电压信号施加到该使能端时，该第一反相器将该高电压信号反相为低电压信号，该第二反相器将经反相的低电压信号反相为高电压信号，该第二晶体管和该第三晶体管开启，该第一晶体管断开，该第四晶体管开启为中间电压状态，该输出端输出低电压状态的信号。

11.如权利要求10所述的电压电平移位器电路，其中当该经反相的低电压信号输入到该第二晶体管的栅极并且该第二功率电压输入到该第二晶体管的源极时，该第二晶体管开启。

12.如权利要求10所述的电压电平移位器电路，其中当经反相的高电压信号输入到该第一晶体管的源极并且该第二功率电压经由该第二晶体管的漏极输入到该第一晶体管的漏极时，该第一晶体管断开。