[发明专利]一种双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法

权利要求书

1.一种双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法，其特征在于：在常规晶体硅太阳电池制备工艺的基础上，对太阳电池前后表面进行双面钝化，然后利用激光在太阳电池后表面钝化层上快速打点，形成背电极局部接触窗口，丝网印刷或磁控溅射电极后，制备成效率较高的背点接触晶体硅太阳电池。

2.根据权利要求1所述的双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法，其特征在于：电池的双面钝化为双面单层钝化或双面叠层钝化。

3.根据权利要求2所述的双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法，其特征在于：对于双面单层钝化，前表面采用氮化硅薄膜，后表面采用氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、碳化硅薄膜、非晶硅薄膜或微晶硅薄膜。

4.根据权利要求2所述的双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法，其特征在于：对于双面叠层钝化，前表面采用氮化硅/氧化硅薄膜体系，背表面采用氮化硅/氧化硅薄膜体系、氮化硅/非晶硅薄膜体系或氮化硅/微晶硅薄膜体系。

5.根据权利要求1所述的双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法，其特征在于：背电极的局部接触窗口采用激光打点烧透钝化膜而实现。

6.根据权利要求1所述的双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法，其特征在于：背电极的制备方式为丝网印刷或磁控溅射方式。