[发明专利]匹配恒流源

权利要求书

1.一种匹配恒流源，包括：

第一NMOS管，它的源极与第二NMOS管的漏极相连，它的栅极与第五运算放大器的输出端相连，它的衬底接地；

第二NMOS管，它的漏极与所述第一NMOS管的源极相连，它的源极接地，它的栅极与第四NMOS管栅极互连，它的衬底接地；

第三NMOS管，它的漏极与输出电流源相连，它的源极与第四NMOS管的漏极相连，它的栅极与第六运算放大器的输出端相连，它的衬底接地；

第四NMOS管，它的漏极与所述第三NMOS管的源极相连，它的源极接地，它的栅极与第二NMOS管的栅极互连，它的衬底接地；

第五运算放大器，它的正输入端与第六运算放大器的正输入端相连，它的负输入端与所述第一NMOS管的源极相连，它的输出端与所述第一NMOS管的栅极相连；

第六运算放大器，它的正输入端与所述第五运算放大器的正输入端相连，它的负输入端与所述第三NMOS管的源端相连，它的输出端与所述第三NMOS管的栅极相连；

第七参考电压源，它的输出端与第五运算放大器的正输入端相连，并与第六运算放大器的正输入端相连；

第八参考电压源，它的输出端与第二NMOS管的栅极相连，也与第四NMOS管的栅极相连，

第九参考电流源，与所述第一NMOS管的漏极相连。

2.一种匹配恒流源，包括：

第一NMOS管，它的源极与第二NMOS管的漏极相连，它的栅极与第五运算放大器的输出端相连，它的衬底接地；

第二NMOS管，它的漏极与所述第一NMOS管的源极相连，它的源极接地，它的栅极与第四NMOS管栅极互连，它的衬底接地；

第三NMOS管，它的漏极与输出电流源相连，它的源极与第四NMOS管的漏极相连，它的栅极与第六运算放大器的输出端相连，它的衬底接地；

第四NMOS管，它的漏极与所述第三NMOS管的源极相连，它的源极接地，它的栅极与第二NMOS管的栅极互连，它的衬底接地；

第五运算放大器，它的负输入端与所述第一NMOS管的源极相连，它的输出端与所述第一NMOS管的栅极相连；

第六运算放大器，它的正输入端与所述第五运算放大器的负输入端相连，它的负输入端与所述第三NMOS管的源极相连，它的输出端与所述第三NMOS管的栅极相连；

第七参考电压源，它的输出端与第五运算放大器的正输入端相连；

第八参考电压源，它的输出端与第二NMOS管的栅极相连，也与第四NMOS管的栅极相连；

第九基准电流源，与所述第一NMOS管的漏极相连。

3.根据权利要求1或权利要求2所述匹配恒流源，其特征在于，所述的第七参考电压源可以由任何结构的带隙基准源提供，可以由电路中任何一个恒定电压端提供，也可以由任何能够提供参考电压的电路或元器件提供。

4.根据权利要求1或权利要求2所述匹配恒流源，其特征在于，所述的第九基准电流源，它是任何能够提供参考电流源的电路或元器件，可以由任何在集成电路中实现电流信号产生的电路来实现，也可以由任何分立元器件实现电流信号产生的电路来实现，也可以由任何集成电路块实现电流信号产生的电路来实现，也可以由分立元器件和集成电路块组合实现。

5.根据权利要求1或权利要求2所述匹配恒流源，其特征在于，所述的第五运算放大器和第六运算放大器可以是结构完全相同的运算放大器，也可以是结构不相同的运算放大器。

6.根据权利要求1或权利要求2所述匹配恒流源，其特征在于，电路结构可以由单个集成电路实现，也可以由分立元器件和集成电路块组合实现；在单个集成电路中，通过调节第一PMOS管和第二PMOS管的宽长比之比来调节输出电流和参考电流的比例；在分立元器件和集成电路块组合中，通过调节分立元器件的个数来调节输出电流和参考电流的比例。