[发明专利]一种电阻转换存储器单元无效
| 申请号: | 200810203356.X | 申请日: | 2008-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN101420013A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
| 发明(设计)人: | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C16/02;G11C11/56 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟;冯 珺 |
| 地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电阻 转换 存储器 单元 | ||
1、一种电阻转换存储器单元,包括一对电极以及设置于电极之间的储存介质,其特征在于:所述的储存介质为在电信号作用下具有电阻转换能力的金属。
2、按权利要求1所述的一种电阻转换存储器单元,其特征在于:所述的电极与金属储存介质之间设有过渡层。
3、按权利要求1所述的一种电阻转换存储器单元,其特征在于:所述的电极与金属储存介质间的交界面经扩散处理形成合金薄层,形成的合金薄层在电信号作用下具有电阻转换能力。
4、按权利要求2所述的一种电阻转换存储器单元,其特征在于:所述的过渡层与金属储存介质间的交界面经扩散处理形成薄层,形成的薄层在电信号作用下具有电阻转换能力。
5、按权利要求2或4中任一项所述的一种电阻转换存储器单元,其特征在于:所述的过渡层材料为钛、钨、硅、锗、钽、铝、银、金、锡、镍、铟、氧化物、氮化物中的一种或几种的组合。
6、按权利要求1—4中任一项所述的一种电阻转换存储器单元,其特征在于:所述的金属储存介质内含有掺杂原子,掺杂原子的原子百分比少于百分之十,掺杂材料种类为氮、氧、钛、钨、硅、锗、钽、铝、银、金、锡、镍、铟、氧化物、氮化物中的一种或几种的组合。
7、按权利要求1—4中任一项所述的一种电阻转换存储器单元,其特征在于:所述的金属储存介质为锑。
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