[发明专利]光导器件有效
| 申请号: | 200810186387.9 | 申请日: | 2008-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN101464608A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
| 发明(设计)人: | 埃迪克·拉斐洛夫;纳尔特·达盖斯塔尼 | 申请(专利权)人: | NCR公司 |
| 主分类号: | G02F1/35 | 分类号: | G02F1/35;H01S5/00 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 张焕生;安 翔 |
| 地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 器件 | ||
1.一种光导器件,包括多个光导层,每个光导层包括光导材料和各自的多个电极,其中所述光导层被电连接在一起,其中所述光导层是光混频层并且所述光导器件是光混频器件,其中所述光导材料包括硅基材料。
2.根据权利要求1所述的光导器件,其中所述光导层被串联电连接。
3.根据权利要求1所述的光导器件,其中所述光导层被并联电连接。
4.根据权利要求1所述的光导器件,其中所述光导材料包括纳米晶硅(nc-Si)和非晶硅(a-Si)中的一种。
5.根据权利要求4所述的光导器件,其中所述光导材料包括氢化纳米晶硅(nc-Si:H)和氢化非晶硅(a-Si:H)中的一种。
6.根据权利要求1所述的光导器件,还包括衬底。
7.根据权利要求6所述的光导器件,其中所述衬底包括金刚石和SiC中的一种。
8.根据权利要求1所述的光导器件,其中所述光导材料能够响应于以下至少一个范围内的频率的辐射:从25GHz到10THz的范围、从50GHz到5THz的范围、从100GHz到3THz的范围以及从1THz到3THz的范围。
9.根据权利要求1所述的光导器件,其被包括在发射器中,所述发射器包括发射天线,其中所述光导器件与所述发射天线连接,并且在操作中,响应于由所述光导器件接收的辐射而产生的电信号被传递到所述发射天线,以产生电磁辐射。
10.根据权利要求1所述的光导器件,其被包括在检测器内,其中所述检测器包括检测电路,并且所述光导器件与所述检测电路连接,并且在操作中,响应于由所述光导器件接收的辐射而产生的电信号被传递到所述检测电路。
11.一种制造光导器件的方法,包括:
在衬底上形成光导层的堆叠,每个光导层均包括光导材料和各自的多个电极,以及将堆叠的光导层电连接在一起,其中所述光导层是光混频层并且所述光导器件是光混频器件,其中所述光导材料包括硅基材料。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述堆叠的光导层的电连接包括以下一个:将所述层串联电连接;和将所述层并联电连接。
13.根据权利要求11所述的方法,其中所述光导材料包括纳米晶硅和非晶硅中的一种。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述光导材料包括氢化纳米晶硅和氢化非晶硅中的一种。
15.根据权利要求11所述的方法,其中所述衬底包括金刚石和SiC中的一种。
16.根据权利要求11所述的方法,还包括为了获得参量RC的期望值,其中R是所述器件的电阻且C是所述器件的电容,选择下面中的至少一个:所述光导材料;所述光导层的数目;所述层之间的所述电连接是串联连接或并联连接;所述层和/或所述电极的大小;以及所述层和/或所述电极的几何参数。
17.一种发射器,包括:
光导器件,包括多个光导层,每个光导层均包括光导材料和各自的多个电极,其中所述光导层被电连接在一起,其中所述光导层是光混频层并且所述光导器件是光混频器件,其中所述光导材料包括硅基材料;
电磁辐射源,用于将电磁辐射施加到所述光导器件;以及
发射天线,与所述光导器件电连接,以接收由所述光导器件响应于所施加的电磁辐射而产生的电信号。
18.一种用于检测电磁辐射的检测器,包括:
光导器件,用于接收待检测的信号,所述光导器件包括多个堆叠的光导层,每个光导层均包括光导材料和各自的多个电极,其中所述堆叠的光导层被电连接在一起,其中所述光导层是光混频层并且所述光导器件是光混频器件,其中所述光导材料包括硅基材料;
电磁辐射源,用于将调制信号施加到所述光导器件;以及
检测电路,与所述光导器件电连接,以检测响应于所述调制信号和所述待检测的信号而产生的电信号。
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