[发明专利]层叠陶瓷电子部件及其制造方法有效
申请号: | 200810186090.2 | 申请日: | 2008-12-22 |
公开(公告)号: | CN101465206A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 竹内俊介;川崎健一;元木章博;小川诚;松本修次;西原诚一 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/228 | 分类号: | H01G4/228;H01G4/30;H01F17/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 陶瓷 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一种层叠陶瓷电子部件,包括:
陶瓷原材,其层叠多个陶瓷层而成;
内部导体,其形成于上述陶瓷原材的内部,且在上述陶瓷原材的外表 面具有露出部;和
外部端子电极,其形成于上述陶瓷原材的外表面上,且将上述内部导 体的上述露出部覆盖,
上述外部端子电极,包括将上述内部导体的上述露出部覆盖的Cu镀 敷膜,在上述Cu镀敷膜的内部即上述Cu镀敷膜的与上述陶瓷原材之间的 界面侧,Cu氧化物以不连续状偏析。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,
上述Cu氧化物以球状存在着。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,
上述Cu氧化物包括Cu2O和CuO。
4.根据权利要求3所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,
在上述Cu氧化物中,Cu2O占90重量%以上。
5.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,
上述内部导体,包括对电气特性的发现实质上无用的伪内部导体。
6.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,
在上述陶瓷原材的外表面上的除上述内部导体的上述露出部以外的 区域、即上述外部端子电极与上述陶瓷原材之间,形成辅助导体。
7.根据权利要求6所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,
上述辅助导体含有玻璃。
8.根据权利要求1或2中任一项所述的层叠陶瓷电子部件,其特征 在于,
上述内部导体的上述露出部,按照在上述陶瓷原材的外表面上至少呈 四列的方式形成,
上述外部端子电极,按照与上述内部导体的上述露出部的列相对应的 方式至少形成四个。
9.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,
上述陶瓷原材,具有相互对置的第一以及第二主面、和连接上述第一 以及第二主面之间的四个侧面,
上述外部端子电极,包括在上述侧面上的相互不同的第一以及第二位 置上分别形成的第一以及第二外部端子电极。
10.根据权利要求9所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,
上述内部导体包括:第一内部电极,其在上述侧面上的上述第一位置 具有露出部,且与上述第一外部端子电极电连接;和第二内部电极,其在 上述侧面上的上述第二位置具有露出部,且与上述第二外部端子电极电连 接,
上述第一以及第二内部电极,经由规定的上述陶瓷层相互对置。
11.根据权利要求9所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,
上述内部导体包括:第一内部导体,其在上述侧面上的上述第一位置 具有露出部;第二内部导体,其在上述侧面上的上述第二位置具有露出部, 且该第二内部导体配置在上述陶瓷层的层叠方向上与上述第一内部导体 不同的位置,
层叠陶瓷电子部件还包括线圈导体,其按照将上述第一内部导体和上 述第二内部导体电连接的方式延伸成线圈状。
12.根据权利要求10或11所述的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,
上述四个侧面,由相互对置的第一以及第二侧面还有相互对置的第三 以及第四侧面组成,上述第一外部端子电极仅形成于上述第三侧面上,上 述第二外部端子电极仅形成于上述第四侧面上,
还具有:第一端缘导体,其在上述第一以及第二主面还有上述第一以 及第二侧面的各一部分上形成,且仅在上述第一外部端子电极的外周缘中 与上述第一外部端子电极电连接;和第二端缘导体,其在上述第一以及第 二主面还有上述第一以及第二侧面的各一部分上形成,且仅在上述第二外 部端子电极的外周缘中与上述第二外部端子电极电连接。
13.一种层叠陶瓷电子部件的制造方法,包括:
准备陶瓷原材的工序,所述陶瓷原材层叠多个陶瓷层而成,在内部具 有内部导体,且在外表面具有上述内部导体的一部分露出的露出部;
对上述陶瓷原材实施镀敷处理,并在上述内部导体的露出部上使Cu镀 敷膜析出的工序;以及
对上述陶瓷原材实施热处理,并使上述Cu镀敷膜和上述陶瓷原材之间 生成Cu液相、O液相、以及Cu固相,
上述热处理,是在温度为1065℃以上、且氧浓度为50ppm以上的条件 下实施的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810186090.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体元件衬底、喷墨头及其相关连接方法
- 下一篇:半导体装置