[发明专利]有机发光装置有效
申请号: | 200810184444.X | 申请日: | 2008-12-24 |
公开(公告)号: | CN101488561A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 宋原准;成妍周;金茂显 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;罗延红 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 | ||
1.一种有机发光装置,所述有机发光装置包括:
第一电极;
第二电极;
发射层,设置在第一电极和第二电极之间;
第一空穴注入层,设置在第一电极和发射层之间;
第二空穴注入层,设置在第一空穴注入层和发射层之间并包含第二空穴 注入材料;
空穴传输层,设置在第二空穴注入层和发射层之间;
第一电子传输层,设置在发射层和第二电极之间,
其中,第一空穴注入层包含空穴注入材料和第一化合物,所述第一化合 物包含从由Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、B和镱组成 的组中选择的元素和从由O、F、S、Cl、Se、Br和I组成的组中选择的元素,
第一电子传输层包含第一电子传输材料和第二化合物,其中,第二化合 物由下面的式1表示:
<式1>
XaYb
其中:
X是碱金属、碱土金属或过渡金属,
Y是第7主族元素或C1-C20的有机基团,
a是范围在1-3之间的数字,
b是范围在1-3之间的数字,
其中,第一化合物与空穴注入材料的混合比率在1∶1至3∶1的范围内,
其中,第二空穴注入层不包括第一化合物。
2.根据权利要求1的有机发光装置,其中,空穴注入材料为从由铜酞菁、 1,3,5-三咔唑基苯、4,4′-二咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、间二咔唑基苯、4,4′- 二咔唑基-2,2′-二甲基联苯、4,4′,4″-三(N-咔唑基)三苯胺、4,4′,4″-三(3-甲基 苯基氨基)三苯胺、1,3,5-三(2-咔唑基苯基)苯、1,3,5-三(2-咔唑基-5-甲氧 基苯基)苯、二(4-咔唑基苯基)硅烷、N,N′-二(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基-[1,1′- 联苯基]-4,4′-二胺、N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基联苯胺、N,N′-二苯基-N,N′- 二(1-萘基)-(1,1′-联苯基)-4,4′-二胺、9,9-二辛基芴与N-(4-丁基苯基)二 苯胺的共聚物和9,9-二辛基芴与二-N,N-苯基-1,4-苯二胺的共聚物组成的 组中选择的至少一种。
3.根据权利要求1的有机发光装置,其中,第一化合物从由氧化钼、氟 化镁、氟化铯、氧化硼、氧化锂和氧化镱组成的组中选择。
4.根据权利要求1的有机发光装置,其中,第二空穴注入材料为从由铜 酞菁、1,3,5-三咔唑基苯、4,4′-二咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、间二咔唑基苯、 4,4′-二咔唑基-2,2′-二甲基联苯、4,4′,4″-三(N-咔唑基)三苯胺、4,4′,4″-三(3- 甲基苯基氨基)三苯胺、1,3,5-三(2-咔唑基苯基)苯、1,3,5-三(2-咔唑基-5- 甲氧基苯基)苯、二(4-咔唑基苯基)硅烷、N,N′-二(3-甲基苯基)-N,N′-二苯 基-[1,1′-联苯基]-4,4′-二胺、N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基联苯胺、N,N′-二苯 基-N,N′-二(1-萘基)-(1,1′-联苯基)-4,4′-二胺、9,9-二辛基芴与N-(4-丁基 苯基)二苯胺的共聚物和9,9-二辛基芴与二-N,N-苯基-1,4-苯二胺的共聚 物组成的组中选择的至少一种。
5.根据权利要求1的有机发光装置,其中,第一空穴注入层与第二空穴 注入层的厚度比在1∶99至1∶9的范围内。
6.根据权利要求1的有机发光装置,其中,在式1中,X为Li、Cs、 Na、Ba或Mg。
7.根据权利要求1的有机发光装置,其中,在式1中,Y为氟元素、喹 啉基、乙酰乙酸根、氯元素或溴元素。
8.根据权利要求1的有机发光装置,其中,第二化合物包含从由喹啉锂、 喹啉钠、乙酰乙酸锂、乙酰乙酸镁、氟化锂、氟化铯和氟化钠组成的组中选 择的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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