[发明专利]边缘场切换模式的液晶显示装置及其阵列基板无效
申请号: | 200810183824.1 | 申请日: | 2008-12-09 |
公开(公告)号: | CN101614915A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 宋相武;黄仁镐;朴大林;柳基贤 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘 切换 模式 液晶 显示装置 及其 阵列 | ||
1、一种用于边缘场切换模式的液晶显示装置的阵列基板,该阵列基板包括:
位于基板上的多条选通线;
位于所述多条选通线上的栅绝缘层;
多条数据线,所述多条数据线位于所述栅绝缘层上并且与所述多条选通线交叉以限定多个像素区域;
电连接到所述选通线和所述数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶体管;
板状并且位于所述各像素区域内的像素电极,所述像素电极连接到所述薄膜晶体管的一部分;
位于所述像素电极上并且位于所述薄膜晶体管上方的第一钝化层;以及
公共电极,所述公共电极位于所述第一钝化层上,并且具有位于所述各像素区域内的条状的多个开口,各所述开口具有沿所述数据线的长轴和沿所述选通线的短轴,其中各所述开口的中部与所述像素电极交叠,而各所述开口的沿长轴的两个端部突出到所述像素电极之外。
2、根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述多个开口中最外端的开口的沿短轴的端部突出到所述像素电极之外。
3、根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述像素电极直接设置在所述栅绝缘层上,并且与所述薄膜晶体管的所述一部分直接接触。
4、根据权利要求1所述的阵列基板,所述阵列基板还包括第二钝化层,所述第二钝化层位于所述栅绝缘层与所述像素电极之间,并且所述第二钝化层具有露出所述薄膜晶体管的所述一部分的接触孔,其中位于所述第二栅绝缘层上的所述像素电极通过所述接触孔连接到所述薄膜晶体管的所述一部分。
5、根据权利要求1所述的阵列基板,其中各所述开口沿各条数据线穿过所述像素区域。
6、根据权利要求1所述的阵列基板,其中所述公共电极进一步包括对应于所述薄膜晶体管的另一开口。
7、一种用于边缘场切换模式的液晶显示装置的阵列基板,该阵列基板包括:
位于基板上的多条选通线;
位于所述多条选通线上的栅绝缘层;
多条数据线,所述多条数据线位于所述栅绝缘层上并且与所述多条选通线交叉以限定多个像素区域;
电连接到所述选通线和所述数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶体管;
板状并且位于各像素区域内的像素电极,所述像素电极连接到所述薄膜晶体管的一部分;
位于所述像素电极上并且位于所述薄膜晶体管上方的钝化层;以及
位于所述钝化层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口的公共电极,各所述开口具有沿所述数据线的长轴和沿所述选通线的短轴,其中各所述开口的中部与所述像素电极交叠,而所述多个开口中最外端的开口的沿短轴的端部突出到所述像素电极之外。
8、一种用于边缘场切换模式的液晶显示装置的阵列基板,该阵列基板包括:
位于基板上的多条选通线;
位于所述多条选通线上的栅绝缘层;
多条数据线,所述多条数据线位于所述栅绝缘层上,并且与所述多条选通线交叉以限定多个像素区域;
电连接到所述选通线和所述数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶体管;
板状并且位于各像素区域内的像素电极,所述像素电极连接到所述薄膜晶体管的一部分,并且与所述选通线的一部分交叠;
位于所述像素电极上并且位于所述薄膜晶体管上方的钝化层;以及
位于所述钝化层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口的公共电极,各所述开口具有沿所述数据线的长轴和沿所述选通线的短轴,其中各开口的中部与所述像素电极交叠,并且各开口的沿长轴的两个端部与所述选通线交叠。
9、根据权利要求8所述的阵列基板,其中各所述像素电极与所述选通线之间交叠的部分的宽度小于所述选通线的宽度的一半。
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