[发明专利]表面处理铜箔及其表面处理方法以及层叠电路基板有效
| 申请号: | 200810168887.X | 申请日: | 2008-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN101445947A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
| 发明(设计)人: | 藤泽哲;铃木裕二 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号: | C25D3/56 | 分类号: | C25D3/56;C25D7/06;H05K1/09;H05K3/38 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 冯 雅 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 处理 铜箔 及其 方法 以及 层叠 路基 | ||
技术领域
本发明涉及表面处理铜箔,特别是涉及作为与聚酰亚胺高温接合来使用的层叠电路基板可以形成准确的电路的表面处理铜箔及其表面处理方法以及使用该铜箔的层叠电路基板。
背景技术
印刷电路板用铜箔在使该铜箔接合于树脂基板时,需要使其接合强度提高,满足作为印刷电路板所需的电气特性、蚀刻特性、耐热性、耐药品性。因此,实施以下的各种处理:对制箔后的铜箔(以下也称未处理铜箔)的与树脂基板的接合表面实施粗糙化处理,再在实施了该粗糙化处理的表面上实施镀锌(Zn)或镀镍(Ni)等,并在该实施了镀Zn或镀Ni等的表面上实施铬酸盐处理等。
驱动作为个人电脑、手机和PDA的显示部的液晶显示器的IC安装基板近来不断地高密度化,其制造过程中要求高温下的处理和准确的电路结构。
制造印刷电路板的层叠电路基板中,对于高温下的准确的处理和电路结构的要求,形成导电电路的电解铜箔和作为可在高温下使用的树脂基板的聚酰亚胺的接合是在数百度的高温下热接合。例如图1的具体例子所示,在330℃、12MP的条件下进行热接合处理。
该高温下的接合处理中,铜箔存在高温下的与聚酰亚胺的接合强度的提高的问题。作为解决该课题的方法,例如专利文献1中揭示有以含Zn合金对铜箔表面进行粗糙化处理的技术。
此外,作为将铜箔与聚酰亚胺高温接合来使用的层叠电路基板,提出有对未处理铜箔的与聚酰亚胺基板的接合表面用包含钼和铁、钴、镍、钨中的至少1种的电解液进行表面处理,再在该镀层上设置Ni镀层、Zn镀层或Ni镀层+Zn镀层而得的表面处理铜箔(参照专利文献2)。
专利文献1:日本专利特开2000-269637号公报
专利文献2:日本专利特开平11-256389号公报
发明内容
所述专利文献中记载的含Zn层的粗糙化处理层在高温下于铜箔和树脂基板之间使粘接强度提高的方面具有效果。但是,将铜箔接合于树脂基板后,如果以基于酸溶液的蚀刻处理形成电路,则由于锌易溶于酸,因此甚至将铜箔和电路基板相互接合的Zn层也溶出,电路形成后的铜箔和树脂基板的接合强度急剧下降,使用电路基板时可能会发生铜箔从树脂基板剥离的事故。为了防止这样的事故,必须缩短蚀刻时间,将Zn层的溶解流出保持在最低限度,蚀刻处理需要高度的技术和管理体系,不仅使层叠电路基板的生产性下降,而且存在导致成本升高的问题。
如上所述,所述专利文献中揭示的粗糙化处理无法如前所述全面满足与聚酰亚胺的接合强度、耐酸性、蚀刻性,无法提供满足这些特性的表面处理铜箔。
本发明的目的在于提供全面满足与聚酰亚胺的接合强度、耐酸性、蚀刻性的表面处理铜箔、该表面处理铜箔的处理方法以及使用该表面处理铜箔的层叠电路基板。
本发明的表面处理铜箔是在未处理铜箔的至少一面施加有由Ni-P-Zn合金形成的表面处理层的表面处理铜箔。
本发明的铜箔的表面处理方法是在未处理铜箔的至少一面用包含Ni:0.1~200g/L、P:0.01~50g/L、Zn:0.01~100g/L的电解浴形成由Ni-P-Zn合金形成的表面处理层的处理方法。
本发明的层叠电路基板是将在未处理铜箔的至少一面设有由Ni-P-Zn合金形成的表面处理层的表面处理铜箔的表面处理层的面与树脂基板接合而成的层叠电路基板。
如果采用本发明的表面处理铜箔,则可以提供满足与聚酰亚胺的接合强度、耐酸性、蚀刻性的表面处理铜箔。
此外,如果采用本发明的铜箔的表面处理方法,则可以提供满足与聚酰亚胺的接合强度、耐酸性、蚀刻性的铜箔的表面处理方法。
另外,如果采用本发明的层叠电路基板,则可以提供树脂基板、特别是聚酰亚胺与铜箔的接合强度高,电路形成时具有耐酸性,满足蚀刻性的层叠电路基板。
附图说明
图1是剥离强度测定时的压制条件的说明图。
(1)达到150℃后,设置样品,压力为0.4MP,设置后,将设定温度设为200℃,保持10分钟;(2)将设定温度设为250℃,保持10分钟;(3)将设定温度设为300℃,保持10分钟;(4)将设定温度设为330℃;(5)达到330℃后,保持10分钟;(6)将压力设为12MP,保持5分钟(低→高);(7)在将压力保持于12MP的状态下,降温空冷;(8)达到200℃左右后,水冷,在30℃左右取出样品。
图2是表示铜箔表面处理层的Ni-P-Zn合金层中的Zn含量和剥离强度的关系的图。
具体实施方式
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