[发明专利]H桥电路的新栅极驱动方法

权利要求书

1.一种H桥电路，包括：

第一PMOS（P沟道金属氧化物半导体）器件；

第一NMOS（N沟道金属氧化物半导体）器件，所述第一PMOS 器件和所述第一NMOS器件串联连接于电源和地（GND）之间；

用于第一PMOS器件的栅极驱动器，连接到第一PMOS器件的栅 极；以及

用于第一NMOS器件的栅极驱动器电路，连接到第一NMOS器件 的栅极，其中，在H桥电路的死区时间期间，所述的用于第一NMOS 器件的栅极驱动器电路的输出电压为从0.1V到0.4V，并且

其中，所述的用于第一NMOS器件的栅极驱动器电路包括：

驱动器，具有输出端；

放大器，具有电压为从0.1V到0.4V的正相输入端、连接到所述 第一NMOS器件的栅极的反相输入端、输出端；和

开关电路，其包括第一开关和第二开关，其中，所述驱动器的输 出端经由所述第一开关提供到所述第一NMOS器件的栅极，所述放大 器的输出端经由所述第二开关提供到所述第一NMOS器件的栅极，以 及

其中，在H桥电路的死区时间期间，所述第一开关断开且所述第 二开关闭合。

2.如权利要求1所述的H桥电路，其中，所述的用于第一NMOS 器件的栅极驱动器电路的输出电压为0.4V。

3.如权利要求1所述的H桥电路，其中，所述放大器的反相输入 端经由所述第二开关连接到所述第一NMOS器件的栅极。

4.如权利要求1所述的H桥电路，其中：

所述驱动器包括两个预驱动器，所述第一开关包括两个第一开关， 所述第二开关包括两个第二开关，

所述的用于第一NMOS器件的栅极驱动器电路进一步包括串联连 接于所述电源和所述地之间的第二PMOS器件和第二NMOS器件，

所述两个预驱动器的输出端分别经由所述两个第一开关而连接到 所述第二PMOS器件的栅极和所述第二NMOS器件的栅极，

所述放大器的输出端分别经由所述两个第二开关而连接到所述第 二PMOS器件的栅极和所述第二NMOS器件的栅极，并且

所述的用于第一NMOS器件的栅极驱动器电路的输出端设置于所 述第二PMOS器件和所述第二NMOS器件之间的连接点，并且所述放 大器的反相输入端直接连接到所述第一NMOS器件的栅极。

5.一种用于H桥电路中的NMOS（N沟道金属氧化物半导体）器 件的栅极驱动器电路，包括：

驱动器；

放大器，其中该放大器的正相输入端的电压为从0.1V到0.4V，且 该放大器的反相输入端连接到第一NMOS器件的栅极；以及

开关电路，其包括第一开关和第二开关，其中，所述驱动器的输 出端经由所述第一开关提供到所述第一NMOS器件的栅极，所述放大 器的输出端经由所述第二开关连接到所述第一NMOS器件的栅极，

其中，在H桥电路的死区时间期间，所述第一开关断开且所述第 二开关闭合。

6.如权利要求5所述的栅极驱动器电路，其中，所述放大器的反 相输入端经由所述第二开关连接到所述第一NMOS器件的栅极。

7.如权利要求5所述的栅极驱动器电路，其中：

所述驱动器包括两个预驱动器，所述第一开关包括两个第一开关， 所述第二开关包括两个第二开关，

所述栅极驱动器电路进一步包括串联连接于电源和地之间的 PMOS（P沟道金属氧化物半导体）器件和第二NMOS器件，

所述两个预驱动器的输出端分别经由所述两个第一开关而连接到 所述PMOS器件的栅极和所述第二NMOS器件的栅极，

所述放大器的输出端分别经由所述两个第二开关而连接到所述 PMOS器件的栅极和所述第二NMOS器件的栅极，并且

所述栅极驱动器电路的输出端设置于所述PMOS器件和所述第二 NMOS器件之间的连接点，并且所述放大器的反相输入端直接连接到 所述第一NMOS器件的栅极。