[发明专利]粘合片、与切割胶带一体化的粘合片以及半导体的制造方法

说明书

本发明申请是下述PCT国际申请的分案申请：国际申请号为 PCT/JP2004/008150，申请号为200480015569.X，申请日为2004年6月4日， 发明创造名称为粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法。

技术领域

本发明涉及适用于半导体元件与半导体元件装载用支撑部件粘接的粘 合片、与切割胶带一体化的粘合片，以及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，主要使用银胶来粘接半导体元件与半导体元件装载用支撑部件。 但是，随着近年来半导体元件的小型化、高性能化，对所用的支撑部件也开 始要求小型化、精细化。对于这样的要求，由于使用银胶粘接在导线连接时 不方便，会造成突出或半导体元件的歪斜，难以控制粘合片的膜厚，以及粘 合片产生孔隙等原因，无法很好地满足上述要求。因此，为了满足上述要求， 近年来开始使用片状的粘合剂。

这种粘合片的使用方式有单片粘贴方式或晶片背面粘贴方式。在使用前 者的单片粘贴方式的粘合片制造半导体装置时，将卷筒状的粘合片切割或拉 裂成单片后，将该单片粘贴在支撑部件上，再将切割成单个的半导体元件粘 接在上述贴有粘合片的支撑部件上，制成具有半导体元件的支撑部件，然后， 根据需要，经过导线连接过程、封装过程等制成半导体装置。但是，为了使 用上述的单片粘贴方式的粘合片，必须具有将粘合片切开，粘接到支撑部件 上的专用组装设备，因此与使用银胶的方法相比，存在着生产成本高的问题。

另一方面，在使用后者的晶片背面粘贴方式的粘合片制造半导体装置 时，首先将粘合片粘贴在半导体晶片的背面，再在粘合片的另一面贴上切割 胶带；然后用切割方法将上述晶片切割成单个的半导体元件；将单个化的具 有粘合片的半导体元件拾取(pick up)出来，粘接到支撑部件上；然后经过 加热、硬化、导线接合等过程，制成半导体装置。这种晶片背面粘贴方式的 粘合片，在将单片化的具有粘合片的半导体元件粘接到支撑部件上时，不需 要粘合片的单片化装置，以往的银胶用组装设备不加改造便可使用，或者只 要附加热盘等装置进行部分改造便可使用。因此，在使用粘合片的组装方法 中，作为一种能将生产成本控制得比较低的方法而引人注目。

但是，因为在使用晶片背面粘贴方式的粘合片的方法中，在上述切割工 序之前，必须经过粘合片与切割胶带的粘贴等2次粘贴工序，所以需要将工 序简化。因此，有人提出了在切割胶带上附带有粘合片，将其粘贴在晶片上 的方法(例如，特开2002—226796号公报、特开2002-158276号公报、特开 2—32181号公报)。

另外，使用晶片背面粘贴方式的粘合片的方法，在晶片切割时，必须同 时也将粘合片切断，但是在使用金刚石切割刀的一般切割方法中，要同时切 断晶片与粘合片就必须将切割速度放慢，这会导致成本上升。

另一方面，对于晶片的切割方法，近年来有人提出了不将晶片完全切断， 而是用加工的沟槽作为折叠痕的方法，或用激光照射预定的切割线上的晶片 内部形成变质区域的方法，对晶片进行可以容易切断的加工，然后再用施加 外力等方法予以切断，前者被称为半切割，后者叫做暗切割(特开2002— 192370号公报，特开2003—338467号公报)。这些方法，特别是在晶片的厚 度较薄的情况下，有减少切片不良的效果，由于不需要切口宽度，因此可以 预期有提高成品率的效果。

使用上述的半切割或暗切割，通过上述的晶片背面粘贴方式的进行半导 体装置制造的过程中，必须将粘合片与晶片同时切断，但是在用一般的粘合 片的情况下，要与晶片同时切断是困难的。另外，当粘合片使用断裂性良好 的非伸缩性粘合片时，可以使晶片与粘合片的切断面大致一致，同时切断， 但是非伸缩性的粘合片的流动性低，因此很难在100℃以下的低温下粘贴在 晶片上，而且粘合片本身很脆，可能会产生开裂，降低粘接的可靠性。

发明内容

如上所述，在用晶片背面粘贴方式的粘合片的方法中，还没有找到高效 率的切断晶片与粘合片的办法。因此，在制造半导体装置时的切割过程中， 需要有一种能使上述半导体晶片形成可切割状态的处理后，可以与晶片同时 被切断的粘合片。另外，在制造半导体装置的半导体元件与支撑部件的粘接 过程中，还需要有一种可靠性良好的粘合片。

本发明的目的是提供一种能在低温下粘贴在晶片上、具有能在室温下进 行处理的柔韧度、而且能在通常的切断条件下与晶片同时切断的粘合片。