[发明专利]氮化硅/氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810151191.6 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101368263A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 冯丽萍;刘正堂 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 氧化 双层 保护 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种氮化硅/氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下：
步骤1：在微波电子回旋共振等离子体射频磁控溅射系统中通入Ar气，对Si靶进行预溅射5～40分钟，除去Si靶表面的氧化层；
步骤2：采用ECR等离子体辅助溅射沉积方法在蓝宝石衬底上沉积Si3N4薄膜，形成镀膜蓝宝石；工艺条件为：ECR等离子体室口离基片的距离为8.0～20.0cm、ECR功率为50～400W、射频功率为80～400W、Ar气流量为0.1～40.0 SCCM、N2气流量为1.0～50.0 SCCM、反应室气压为0.1～15.0Pa、衬底温度为100～700℃、溅射靶离基片的距离为3.0～15.0cm、沉积时间为0.1～10.0h；
步骤3：对步骤2得到的镀膜蓝宝石进行退火处理，工艺条件为：退火温度400～1000℃、退火保护气氛N2气、退火时间0.1～8.0h；
步骤4：采用ECR等离子体辅助溅射沉积方法对经过步骤3得到的沉积有Si3N4薄膜的蓝宝石上再沉积SiO2薄膜，工艺条件为：ECR等离子体室口离基片的距离为8.0～20.0cm、ECR功率为80～400W、射频功率为60～300W、Ar气流量为3.0～40.0SCCM、O2气流量范围为1.0～30.0SCCM、反应室气压为0.1～15.0Pa、衬底温度为80～800℃、溅射靶离基片的距离为3.0～20.0cm、沉积时间为0.1～10.0h；
步骤5：对经过步骤4得到的镀膜蓝宝石进行退火处理，得到Si3N4/SiO2双层增透保护薄膜；工艺条件为：退火温度为400～1000℃、退火保护气氛为O2气、退火时间为0.1～8.0h。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学，未经西北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810151191.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
