[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置，尤其涉及具有薄膜晶体管的显示装置。

背景技术

这种显示装置在其显示部具有矩阵状配置的多个像素，通过经栅极信号线供给的扫描信号使其各像素具有的薄膜晶体管导通来依次选择其各像素列，与该选择定时相应地经漏极信号线向该像素列的各像素供给图像信号，其中该漏极信号线与其他像素列相对的像素共用连接。

有时在由上述各像素的集合体构成的显示区域的周边形成有用于驱动显示装置的驱动电路，该驱动电路也具有薄膜晶体管。

作为上述薄膜晶体管，以往使用由非晶硅形成半导体层的薄膜晶体管。从移动度高度方面考虑，也使用由多晶硅形成半导体层的薄膜晶体管。尤其在驱动电路中，使用多晶硅薄膜晶体管。

这些薄膜晶体管例如包括：与上述栅极信号线连接的栅电极、隔着绝缘膜跨过上述栅电极形成的半导体层、与上述漏极信号线连接且形成在上述半导体层上的漏电极、与上述像素电极连接且与上述漏电极相对地形成在上述半导体层上的源电极。

上述漏电极与源电极之间的半导体层起到沟道区域的作用，相应于对上述栅电极的施加电压，经上述沟道区域在上述漏电极与源电极之间流过电流。

上述薄膜晶体管通常在上述沟道区域与漏电极之间以及上述沟道区域与源电极之间分别设有电场缓和区域。该电场缓和区域用由较高电阻构成的半导体层构成，利用该电场缓和区域，避免在上述沟道区域与漏电极之间以及上述沟道区域与源电极之间产生电场集中，由此谋求缓和截止电流。

公知这样的电场缓和区域的构造如下：平面地配置在半导体层的沟道区域与漏极区域之间及沟道区域与源极区域之间，并且，与漏电极和源电极重叠地垂直配置。后者的构造例如由下述专利文献1所详细公开。

专利文献1：日本特开2001-102584号公报

在底栅构造多晶硅薄膜晶体管中，为了缓和漏极端的电场而应用LDD构造。若应用LDD构造，则需要光掩模、杂质注入工序，这会导致生产率变差。而且，由于LDD构造需要面积，因此存在开口率变低等缺点。因此，在上述专利文献1中，不是在平面而是在垂直方向形成电场缓和区域。具体而言，半导体层起到电场缓和的作用。在半导体层较薄时，沿纵向增加n^-层来进行电场缓和。

但是，在垂直形成电场缓和区域时，需要形成与起到沟道区域作用的半导体层不同的、起到电场缓和区域作用的半导体层。因此，具有结构变得复杂、从而导致增大制造工时这样的问题。仅靠由半导体层来缓和垂直方向的电场，降低截止电流的效果并不充分。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有用极简单的结构、仅进一步增加一些工序数就实现了降低截止电流的多晶硅薄膜晶体管的显示装置。

简要说明本申请公开的发明中的代表性技术方案如下。

(1)一种显示装置，具有绝缘基板和形成在上述绝缘基板上的薄膜晶体管，其中，上述薄膜晶体管的半导体层具有多晶硅层、形成在上述多晶硅层上层的第一非晶硅层、形成在上述第一非晶硅层上层的第二非晶硅层。

(2)一种显示装置，具有绝缘基板和形成在上述绝缘基板上的多个薄膜晶体管，其中，上述绝缘基板具有像素区域和包围上述像素区域的周边区域，上述多个薄膜晶体管具有多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管，上述多个第一薄膜晶体管形成在上述像素区域，上述多个第二薄膜晶体管形成在上述周边区域，上述多个第一薄膜晶体管的半导体层具有第一非晶硅层、和形成在上述第一非晶硅层上层的第二非晶硅层，上述多个第二薄膜晶体管的半导体层具有多晶硅层，在上述多晶硅层的上层形成有上述第一非晶硅层和上述第二非晶硅层。

(3)在(1)或(2)中，上述第一非晶硅层和上述第二非晶硅层的氢浓度不同。

(4)在(1)～(3)任一项中，上述第二非晶硅层的氢浓度小于上述第一非晶硅层的氢浓度。

(5)在(1)～(4)任一项中，上述第一非晶硅层的层厚是10nm～100nm。

(6)在(1)～(5)任一项中，上述第二非晶硅层的层厚是50nm～100nm。

(7)一种显示装置的制造方法，该显示装置具有绝缘基板、和形成在上述绝缘基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管具有半导体层，该显示装置的制造方法包括如下工序：第一工序，对非晶硅层，进行成膜进行了脱氢处理之后，对上述非晶硅层照射激光来使其结晶化而形成多晶硅层；第二工序，在上述多晶硅层的上层形成第一非晶硅层；第三工序，在上述第一非晶硅层的上层形成第二非晶硅层。

简要说明本申请公开的发明中的代表性技术方案所得到的效果如下。