[发明专利]存储器装置的内嵌映射信息

说明书

技术领域

[0001]本发明大体上涉及半导体存储器，且明确地说，在一个或一个以上实施例中， 本发明涉及利用存储器装置的内嵌映射信息的方法及设备。

背景技术

[0002]电子装置通常均具有其可用的某种类型的大容量存储装置。常见的实例是硬 盘驱动器(HDD)。HDD能够在相对较低的成本下提供大量存储空间，当前的消费者 HDD可提供超过1太字节的容量。

[0003]HDD通常将数据存储于旋转的磁性媒体或底板上。数据通常作为磁通量逆 转模式而存储在底板上。为了向典型的HDD写入数据，底板高速旋转，同时漂浮在底 板上方的写入磁头产生一连串磁脉冲以排列底板上的磁性粒子来表示数据。为了从典型 的HDD读取数据，随着磁阻读取磁头漂浮在高速旋转的底板上方，在所述磁阻读取磁 头中诱发电阻变化。在实践中，所得的数据信号是模拟信号，其峰值和谷值是由数据模 式的磁通量逆转造成的。称为部分响应最大似然(PRML)的数字信号处理技术接着用 于对模拟数据信号进行取样，以确定负责产生数据信号的可能数据模式。

[0004]HDD由于其机械性质而具有某些缺陷。HDD容易受到由于冲击、振动或强 磁场引起的破坏或过多读取/写入错误。此外，在便携式电子装置中，HDD耗电相对较 大。

[0005]大容量存储装置的另一个实例是固态驱动器(SSD)。代替将数据存储于旋 转媒体上，SSD利用半导体存储器装置来存储其数据，但通常包括接口和形状因素，从 而使得在其主机系统看来似乎它们是典型的HDD。SDD的存储器装置通常是非易失性 快闪存储器装置。

[0006]快闪存储器装置现已发展成为一种流行的非易失性存储器来源，广泛应用于 各种电子应用。快闪存储器装置通常使用单晶体管存储器单元，其允许高存储器密度、 高可靠性和低能耗。通过对电荷存储节点(例如，浮动栅极或阻止层)或其它物理现象 (例如，相变或极化)编程来改变单元的阈值电压，从而确定每一单元的数据值。快闪 存储器和其它非易失性存储器通常用于个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、 数字媒体播放器、数字记录器、游戏、器具、车辆、无线装置、移动电话和可移动存储 器模块，非易失性存储器的使用范围仍在继续扩展。

[0007]与HDD不同的是，SSD的操作由于其固态性质而通常不会受到振动、冲击 或磁场的影响。同样，由于没有移动零件，SSD比HDD需要更少的电量。然而，与具 有相同形状因素的HDD相比，SSD当前具有低得多的存储容量，且对于同等的存储容 量，SDD具有显著较高的成本。

[0008]由于快闪存储器装置的性质，快闪存储器装置内针对给定逻辑地址的物理地 址通常会随时间而改变。为了解决此变化对应，使用快闪翻译层(FTL)将逻辑地址映 射到已存储数据的物理地址。虽然此高级映射信息经常保持在易失性存储器中以便于在 存储器装置操作期间使用，但周期性地将此映射信息存储到非易失性存储器，使得可在 装置启动期间检索。或者，可对于每一写入操作将此映射信息更新到非易失性存储装置。 如果SSD突然断电，使得最新近的映射信息尚未存储到非易失性存储器，那么扫描形 成SSD的存储器装置的每个有效页以重建逻辑地址与当前物理地址之间的关系。此扫 描过程可能会花费相当长的时间，在此期间主机无法使用SSD。

[0009]由于以上原因以及所属领域的技术人员在阅读和了解本说明书后将明白的 其它原因，此项技术中需要替代性的大容量存储选项。

发明内容

无

附图说明

[0010]图1为根据本发明实施例的具有至少一个存储器模块的电子系统的功能方 框图。

[0011]图2为根据本发明实施例的数据区块及其相关联日志区块的表示。

[0012]图3为根据本发明实施例的页的数据结构的表示。

[0013]图4A到4B为根据本发明实施例的组合多个物理数据区块的逻辑数据区块 的方框表示。

[0014]图5为根据本发明实施例的操作存储器模块的方法的流程图。

[0015]图6为根据本发明实施例的操作存储器模块的方法的流程图。

具体实施方式