[发明专利]用于检测靶物质的分析装置、分析方法、或其中使用的器件有效
| 申请号: | 200810149164.5 | 申请日: | 2008-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN101393123A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
| 发明(设计)人: | 奈良原正俊;高桥智;斋藤俊郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号: | G01N21/55 | 分类号: | G01N21/55;G01N21/41;G01N21/64;G01N33/48 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟 晶 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 检测 物质 分析 装置 方法 其中 使用 器件 | ||
1.一种用于分析靶物质的分析装置,其特征在于,包含:
透光性的基板;
与所述基板形成界面、折射率比所述基板低且存在开口部的低折射率层;
配置于所述开口部的、引起等离子体共振的金属;
能够将含有靶物质的溶液保持在低折射率层侧的室;
为了在所述界面进行全反射并且对所述金属照射瞬逝光,而从基材侧照射 光的光源;
对通过所述瞬逝光的等离子体共振而从所述靶物质生成的光进行检测的 检测器;
其中,在每个所述金属上固定有不同的探针,开口部底面至探针的距离小 于低折射率层的厚度。
2.根据权利要求1所述的分析装置,其中,所述开口部内配置有由含有 引起等离子体共振的金属的多种材料所构成的结构体。
3.根据权利要求1所述的分析装置,其中,在所述低折射率层上,存在 折射率比形成低折射率层的材料高的高折射率层。
4.根据权利要求2所述的分析装置,其中,在所述结构体上,固定有用 于检测靶物质的探针。
5.根据权利要求1所述的分析装置,其中,所述开口部的最大开口距离 比用于检测的光的波长小。
6.根据权利要求1所述的分析装置,其中,多个开口部网格状地排列。
7.根据权利要求1所述的分析装置,其中,所述靶物质施加荧光标记, 对所述靶物质进行荧光检测。
8.一种用于分析靶物质的分析方法,其特征在于:
准备检测器件,该检测器件含有:透光性的基板,与所述基板形成界面、 折射率比所述基板低且存在开口部的低折射率层,配置于所述开口部的、引起 等离子体共振的金属,其中,在每个所述金属上固定有不同的探针,开口部底 面至探针的距离小于低折射率层的厚度;
将含有靶物质的液体保持于所述检测器件中;
为了在所述界面进行全反射并且对所述金属照射瞬逝光,而从基材侧照射 光;
对通过所述瞬逝光的等离子体共振而从所述靶物质产生的光进行检测。
9.根据权利要求8所述的分析方法,其中,在所述开口部内配置有由含 有引起等离子体共振的金属的多种材料所构成的结构体。
10.根据权利要求8所述的分析方法,其中,在所述低折射率层上,存在 折射率比形成低折射率层的材料高的高折射率层。
11.根据权利要求9所述的分析方法,其中,在所述结构体上固定有用于 检测靶物质的探针。
12.根据权利要求8所述的分析方法,其中,所述开口部的最大开口距离 比用于检测的光的波长小。
13.根据权利要求8所述的分析方法,其中,多个开口部网格状地排列。
14.根据权利要求8所述的分析方法,其中,在所述靶物质上实施荧光标 记,对所述靶物质进行荧光检测。
15.一种用于权利要求1所述的分析装置的器件,其特征在于,包含:透 光性的基板;与所述基板形成界面、折射率比所述基板低且存在开口部的低折 射率层;配置于所述开口部的、引起等离子体共振的金属,其中,在每个所述 金属上固定有不同的探针,开口部底面至探针的距离小于低折射率层的厚度。
16.一种用于权利要求8所述的分析方法的器件,其特征在于,包含:透 光性的基板;与所述基板形成界面、折射率比所述基板低且存在开口部的低折 射率层;配置于所述开口部的、引起等离子体共振的金属,其中,在每个所述 金属上固定有不同的探针,开口部底面至探针的距离小于低折射率层的厚度。
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