[发明专利]太阳能电池有效
| 申请号： | 200810147010.2 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101651164A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 叶哲良;徐文庆;何思桦 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰硅晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 215300江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池，该太阳能电池包含：
一半导体结构组合，该半导体结构组合包含一硅基板、至少一p-n结面、一表面钝化层，以及一用以吸收光线的照射面；以及
多个纳米复合结构，该多个纳米复合结构形成于该半导体结构组合的该照射面上，每一个纳米复合结构包含：
一第一纳米层，该第一纳米层形成于该照射面上；以及
一第二纳米层，该第二纳米层形成于该第一纳米层上；
其中该第一纳米层的折射率大于该第二纳米层的折射率，该表面钝化层供使由光产生的载子发生表面重合的机率减低，且该多个纳米复合结构彼此间的间距小于射入光线的四分之一个波长。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该第一纳米层由硅所制成。
3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该第二纳米层由二氧化硅所制成。
4.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，该第一纳米层由一电化学蚀刻制程所形成。
5.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，该第二纳米层由一热氧化制程所形成。
6.一种太阳能电池，该太阳能电池包含：
一半导体结构组合，该半导体结构组合包含一硅基板、至少一p-n结面、一表面钝化层，以及一用以吸收光线的照射面；
多个第一纳米层，该多个第一纳米层形成于该半导体结构组合的该照射面上；以及
一第二纳米层，该第二纳米层形成于该多个第一纳米层以及该照射面上；
其中每一个第一纳米层的折射率大于该第二纳米层的折射率，该表面钝化层供使由光产生的载子发生表面重合的机率减低，且该多个第一纳米层彼此间的间距小于射入光线的四分之一个波长。
7.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，该多个第一纳米层是由硅所制成。
8.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，该第二纳米层是由二氧化硅所制成。
9.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，该多个第一纳米层由一电化学蚀刻制程所形成。
10.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，该第二纳米层由一原子层沉积制程所形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
