[发明专利]TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块有效

专利信息
申请号: 200810136638.2 申请日: 2008-12-22
公开(公告)号: CN101448343A 公开(公告)日: 2009-06-03
发明(设计)人: 脱西河;陈立强 申请(专利权)人: 德可半导体(昆山)有限公司
主分类号: H04W88/06 分类号: H04W88/06;H04B7/005
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人: 孙仿卫
地址: 215347江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: td scdma gsm 双模 手机 射频 功率放大器 模块
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种功率放大器模块,尤其涉及应用于双模手机上的射频功率 放大器模块。

背景技术

从目前的移动通信发展的趋势看来,3G已势不可挡,而TD-SCDMA是我 国的3G标准;但目前GSM最为成熟,网络覆盖面最广,用户最多。因此,在 相当长的时期内,我国的TD-SCDMA手机必须兼容GSM,即产生双模手机, 所谓的“双模”就是工作在两个网络模式下,这两个工作模式就是GSM网络和 TD-SCDMA网络,所谓的“TD-SCDMA/GSM双模手机”就是指手机可以同时支 持GSM以及TD-SCDMA这两个网络通信技术,它可以根据环境或者是实际操 作的需要来从中做出选择,哪个网络技术更能发挥作用,就让手机切换到哪种 模式下去工作,如果在一种模式下,手机通信质量不高或者是出现其他不良的 通信现象,可以自由转到另外一个网络模式上工作,它实际上就是扩大了手机 的通话频率,并大大提高通信的稳定性而已。而目前的TD-SCDMA手机在发射 端都使用两块功率放大器模块,分别负责GSM和TD-SCDMA两种模式,这对 于手机的生产来说,则造成了体积和成本的增加。

发明内容

本发明目的是为了克服现有技术的不足而提供一种通过单模块实现 TD-SCDMA功率放大和GSM功率放大的射频功率放大器,该射频功率放大器模块 可用于双模手机上从而减少手机硬件的体积。

为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种TD-SCDMA/GSM双模 手机射频功率放大器模块,它包括用于接收并处理TD输入信号的TD-SCDMA 功率放大芯片、用于接收并处理GSM输入信号的GSM功率放大芯片、与所述 的TD-SCDMA功率放大芯片和GSM功率放大芯片相电连接用于交替地控制所 述的TD-SCDMA功率放大芯片和GSM功率放大模块的控制芯片,且所述的 TD-SCDMA功率放大芯片、GSM功率放大芯片、控制芯片整合在同一模块上。

更进一步地,所述的射频功率放大器模块采用MCM封装方式。

与所述的TD-SCDMA功率放大芯片相连接有TD输入匹配电路和TD输出 匹配电路,与所述的GSM功率放大芯片相连接有GSM高频段输入匹配电路、 GSM低频段输入匹配电路、GSM高频段输出匹配电路、GSM低频段输出匹配 电路,且上述各匹配电路也整合在该模块上。

本发明还提供了一种更优化的技术方案,一种TD-SCDMA/GSM双模手机 射频功率放大器模块,它包括用于接收并处理TD输入信号和GSM高频输入信 号的TD/GSM_HB功率放大芯片、用于接收并处理GSM低频段输入信号的GSM 低频段功率放大芯片、与所述的TD/GSM_HB功率放大芯片和GSM低频段功率 放大芯片相电连接用于交替地控制所述的TD/GSM_HB功率放大芯片和GSM低 频段功率放大芯片的控制芯片,且所述的TD/GSM_HB功率放大芯片、GSM低 频段功率放大芯片、控制芯片整合在同一模块上。

进一步地,所述的功率放大器模块采用MCM封装方式。

与所述的TD/GSM_HB功率放大芯片的输入和输出端还分别电连接有输入 开关匹配电路和输出开关匹配电路,与所述的GSM低频段功率放大芯片输入和 输出端分别相电连接有输入匹配电路、输出匹配电路,且上述各匹配电路也整 合在同一模块上。

由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:由于将 TD-SCDMA功放芯片与GSM功放芯片通过同一控制芯片交替的控制,且 TD-SCDMA功放芯片、GSM功放芯片与控制芯片整合在一模块上,从而取代了 原TD-SCDMA功放模块与GSM功放模块分别采用单独的控制芯片进行控制的 模式,且将TD-SCDMA功放与GSM功放封装在一块模块上应用到双模手机上, 可减小硬件体积,降低制造成本。

附图说明

附图1为本发明TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块实施例一 功能框图;

附图2为本发明TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块实施例二 功能框图;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德可半导体(昆山)有限公司,未经德可半导体(昆山)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810136638.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top