[发明专利]反应装置有效

专利信息
申请号: 200810126233.0 申请日: 2008-06-26
公开(公告)号: CN101333497A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 森胁俊贵;汤本昭 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: C12M1/38 分类号: C12M1/38
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 反应 装置
【权利要求书】:

1.一种反应装置,包括

多个反应区域;以及

多个加热部,被配置为每一个都对应于所述反应区域中 对应的一个而设置,其中,

每个所述加热部包括:

热源;

扫描线,用于选择所述加热部;

数据线,将用于加热的加热量信息传输至所述热源;

写入器,获取从所述数据线传输的所述加热量信息;

保持器,在所述扫描线转为未被选择的状态之后,还 存储所述加热量信息;以及

发热控制器,基于所述加热量信息来控制所述热源的 发热;

其中,从所述数据线传输的所述加热量信息是信号电流, 所述加热部包括将所述信号电流转换为电压电平的转换器。

2.根据权利要求1所述的反应装置,其中,

所述保持器保持所述加热量信息作为所述电压电平,以 及

所述发热控制器将所保持的电压电平转换为电流电平, 从而控制发热。

3.根据权利要求2所述的反应装置,其中,

所述转换器包括栅极和漏极彼此电连接的第一场效应晶 体管;

所述保持器包括:电容器,保持所述第一场效应晶体管 的栅极和源极之间的电压电平,所述电压电平是由于所述信号 电流流过所述第一场效应晶体管而产生的;以及

所述发热控制器包括:第二场效应晶体管,取决于所述 第一场效应晶体管的栅极和源极之间的所述电压电平的电流 流过所述第二场效应晶体管。

4.根据权利要求3所述的反应装置,其中,

所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管是相同 类型的晶体管,以及

通过所述转换器将所述信号电流转换为所述电压电平的 转换操作、以及通过所述发热控制器基于所述加热量信息来控 制所述热源的发热的控制操作是以分时方式执行的。

5.根据权利要求3所述的反应装置,其中,

所述转换器包括所述第一场效应晶体管以及栅极和漏极 彼此电连接的第三场效应晶体管,以及

所述第一场效应晶体管的源极和所述第三场效应晶体管 的漏极彼此电连接。

6.根据权利要求1所述的反应装置,进一步包括:

被配置为在从通过所述写入器获取所述加热量信息到获 取下一加热量信息的期间中断驱动电流的单元。

7.根据权利要求1所述的反应装置,其中,

所述反应装置为在所述反应区域中执行基因扩增反应的 PCR装置。

8.根据权利要求7所述的反应装置,进一步包括:

光学单元,被配置为用包括预定波长的激发光来照射所 述反应区域;以及

荧光检测器,被配置为检测由于所述激发光的照射而产 生的荧光。

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