[发明专利]等离子体处理装置及其上电极板

说明书

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置及其上电极板，特别是一种等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的等离子体处理装置及其上电极板。

背景技术

随着消费大众对于面板显示器技术的接受，用于形成显示器的基材在尺寸上已逐渐增加，大型基板的尺寸由约500mm乘以650mm增加至约2500mm乘以2200mm，因此，等离子体增强化学气相沉积的机台设计也随之改变。

如图1所示，悬吊在等离子体增强化学气相沉积制程机台上的气体扩散系统A1，在经过长期使用的状况下，会因为地心引力等因素影响而发生弯曲的问题，此现象后续将造成气体扩散系统A1的上电极(diffuser)A11与下电极(susceptor)A12之间的间距发生变化，因此在成膜过程中，会造成多层膜(如：SiN/a-Si/N+/PV)沉积物的均匀度(uniformity)与沉积率(deposition rate)不易控制，因而影响其质量。

为了解决上电极A11弯曲日趋严重的问题，便于上电极A11的部分气孔A111锁入支撑螺丝(support screw)，使上电极A11锁固于托板A2，以此支撑上电极A11而减缓其受力不均而弯曲的机率。然而，当气体供应单元A3所供应的制程气体在穿过上电极A11的气孔A111后，会回流至锁固元件而使得氟离子累积于支撑螺丝处，因而造成产品在对应处产生色差(Mura)，严重造成产品不合格率上升。

因此，如何避免上电极在长期使用的情况下产生弯曲的问题，同时防止氟离子累积于上电极锁固支撑螺丝处而造成产品产生色差，以此提升产品的质量与合格率，为本发明人以及从事此相关行业的技术领域人员亟欲改善的课题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种等离子体处理装置及其上电极板，以提升产品的质量与合格率。

有鉴于此，本发明提出一种上电极板，安装于腔体内，腔体设置有托板，上电极板包含：第一表面；第二表面，对应第一表面；至少一个气体扩散孔，由第一表面延伸至第二表面，用以导入制程气体；及至少一个定位孔，位于第一表面上，用以锁入锁固元件而定位于托板。

本发明亦提出一种上电极板，安装于腔体内，腔体设置有托板，上电极板包含：第一表面；第二表面，对应第一表面；至少一个气体扩散孔，由第一表面延伸至第二表面，用以导入制程气体；至少一个定位孔，由第一表面延伸至第二表面，锁固元件由第一表面锁入定位孔而定位于托板；及至少一个封孔块，位于定位孔内而阻隔制程气体由第二表面流至锁固元件。

本发明提出一种等离子体处理装置，包含：托板；下电极板，位于托板的下方；及上电极板，位于托板与下电极板之间，包含：第一表面，面向托板；第二表面，对应第一表面，面向下电极板；至少一个气体扩散孔，由第一表面延伸至第二表面，用以导入制程气体至上电极板与下电极板之间；及至少一个定位孔，位于第一表面上，用以锁入锁固元件而定位于托板。

本发明亦提出一种等离子体处理装置，包含：托板；下电极板，位于托板的下方；及上电极板，位于托板与下电极板之间，包含：第一表面，面向托板；第二表面，对应第一表面，面向下电极板；至少一个气体扩散孔，由第一表面延伸至第二表面，用以导入制程气体至上电极板与下电极板之间；至少一个定位孔，由第一表面延伸至第二表面，锁固元件由第一表面锁入定位孔而定位于托板；及至少一个封孔块，位于定位孔内而阻隔制程气体由第二表面流至锁固元件，可有效降低氟离子累积于支撑螺丝处，进而降低对产品的影响。

本发明以锁固元件将上电极板定位于托板，防止了上电极在长期使用的情况下产生弯曲的问题，并将上电极板的定位孔以封孔设计(定位孔位于第一表面上而未延伸至第二表面)或设置封孔块，以此避免制程气体中的离子累积于上电极的锁固元件处而造成产品产生色差，以此提升产品的质量与合格率。

有关本发明的较佳实施例及其功效，兹配合附图说明如后。

附图说明

图1为现有等离子体增强化学气相沉积制程机台的示意图。

图2为本发明第一实施例的等离子体处理装置的示意图。

图3为本发明第一实施例的上电极板的示意图。

图4为本发明第二实施例的等离子体处理装置的示意图。

图5为本发明第二实施例的上电极板的示意图。

其中，附图标记说明如下：

1等离子体处理装置     10腔体

20托板                21锁固元件

30下电极板            40上电极板

40a第一表面           40b第二表面