[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及制造、修复方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板、已修复薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制造、修复方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Fi1m Transistor-Liquid Crysta1Display，以下简称：TFT-LCD)已经得到了越来越多的发展，但是TFT-LCD仍然存在一定的线性不良现象，如在生产过程中，由于工艺缺陷出现数据线开路的情况，数据线用于提供数据信号，当数据线出现开路的情况时，会导致TFT-LCD面板上出现一条亮线或暗线，造成严重的线性不良现象。

如图1所示，为现有技术薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，目前，解决线性不良问题的常规的维修方法是：先在TFT-LCD上预留修复线11，在修复线11和数据线12交叉的部位13使用激光焊接，将多余的线切开，使得修复线11与出现开路的数据线12连接，借助修复线11提供数据信号。由于在修复的过程中，所使用的激光能量需要精确控制，但是，激光本身的能量不稳定，难于控制。在实施修复的过程中，当激光的能量过大时，易造成处于交叉的部位的数据线12出现开路，很难再修复；当激光的能量过小时，不能将数据线12和修复线11焊接在一起，需要检测后二次修复，增加了修复时间。因此，采用激光焊接的方法修复的成功率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板、已修复薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制造、修复方法，当数据线出现开路情况时，不需要经过激光焊接，大幅度提高修复成功率，提高TFT-LCD的良品率。

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线，数据线，栅线和数据线交叉定义的像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，设置在阵列基板外围的修复线，并与数据线在外围区域形成交叉，在靠近所述修复线与数据线交叉部位的所述修复线上方形成有与所述修复线接触的第一电极，在靠近所述修复线与所述数据线交叉部位的所述数据线上方形成有与所述数据线接触的第二电极。

本发明提供了一种包括上述薄膜晶体管阵列基板的已修复薄膜晶体管阵列基板，至少包括一断开的数据线，在所述断开数据线与所述修复线交叉部位处，所述第一电极和第二电极上面沉积有导电层，所述第一电极和所述第二电极通过导电层连接。

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，包括在玻璃基板上依次形成栅线层和修复线、栅绝缘层、有源层、及源漏电极和数据线，还包括：

步骤1、在形成栅线层和修复线、栅绝缘层、有源层、源漏电极和数据线的玻璃基板上，沉积钝化层；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极过孔，同时刻蚀靠近所述修复线和数据线交叉部位的所述数据线上方的钝化层形成第二电极过孔，以及刻蚀靠近所述修复线和数据线交叉部位的所述修复线上方的钝化层和栅绝缘层形成第一电极过孔；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上，沉积透明电极层；

步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极，同时保留靠近所述修复线和数据线交叉部位的数据线上方和修复线上方的透明电极，形成第一电极和第二电极，其中第一电极通过第一电极过孔与修复线连接；第二电极通过第二电极过孔与数据线连接。

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板修复方法，该方法应用于上述薄膜晶体管阵列基板制造方法所制造的薄膜晶体管阵列基板，包括：至少形成有一断开的数据线，在所述断开数据线与所述修复线交叉部位处，形成第三电极，所述第三电极位于所述第一电极和第二电极的上方，并将所述第一电极和所述第二电极连接起来。

本发明在不增加掩模板的前提下，在数据线和修复线之间形成了特定的图形，当数据线出现开路的情况时，不需要经过激光焊接，直接通过沉积导电层即可修复，大幅度提高了修复的成功率，提高了TFT-LCD的良品率。

附图说明

图1为现有技术薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图2为本发明薄膜晶体管阵列基板一实施例的结构示意图；

图3为本发明薄膜晶体管阵列基板一实施例形成栅线层的结构示意图；

图4为本发明薄膜晶体管阵列基板一实施例形成数据线的结构示意图；

图5为本发明薄膜晶体管阵列基板一实施例形成过孔的结构示意图；

图6为本发明已修复薄膜晶体管阵列基板一实施例的结构示意图；

图7为本发明薄膜晶体管阵列基板制造方法一实施例的流程图；