[发明专利]一种超高频射频识别读写器降功耗用的发射电路有效

专利信息
申请号: 200810115088.6 申请日: 2008-06-16
公开(公告)号: CN101299232A 公开(公告)日: 2008-11-05
发明(设计)人: 王敬超;池保勇;张春;李永明;王志华 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G06K7/00 分类号: G06K7/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 代理人: 朱琨
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 超高频 射频 识别 读写 功耗 发射 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种通信领域的射频识别技术中超高频射频识别读写器发射通路的实现方案,特别是关于降低超高频射频识别读写器功耗的一种设计方案。

背景技术

通信领域的RFID(Radio Frequency Identification,射频识别)技术,是利用射步频方式进行远距离通信达到识别物品的一种自动化物品识别技术。RFID具有存贮数据量大、安全性高、穿透力强、识别距离远、识别速度快、使用寿命长、可读写、环境适应性强、防水防磁等特点。同时,由于芯片本身的高额成本和高技术含量的特点,使芯片本身就具有防伪功能,而且,还可以应用一些适当复杂度的加密技术,实现安全管理。这些优点使得其应用前景非常广阔,可以广泛应用于工业制造、商业供应链管理、公共交通管理、商品防伪、身份识别、动物识别、门禁管理以及安全和军事物流等众多领域。近年来国内外对该项技术尤其是其中超高频段的射频识别技术给予了极大关注,超高频的射频技术一般使用无源标签,即标签工作时所需的能量是从电磁波中恢复出来的,这样就可以大大降低标签的成本;另外由于超高频射频识别技术载波频率高,可以实现更高的通信速率和更远的传输距离特别适用于诸如物流管理、零售业等电子供应链管理的应用重。

如图2所示,一个典型射频识别系统应包括标签(射频卡)、读写器(射频收发机)和主机控制系统。正如前文所述,超高频段的RFID电子标签大多是无源标签,它们工作所需要的电源是从读写器发射的电磁波中通过电源恢复来获得的;无源电子标签通过反向散射调制技术来实现向读写器传送数据。其通信过程如图1所示。

当标签放入读写器的场区中时,读写器通过自动轮询方式米发出对标签操作的指令,标签按照协议规定对指令做出响应,比如返回标签中存储的数据、将数据写入标签内存储器、进入静默状态等等。

为了使无源标签在一定范围内能够恢复出工作所需的电源,读写器必须有一定的发射功率,因此读写器内部都使用功率放大器以提高输出功率;为了防止读写器工作时影响其它通信设备的工作,读写器的发射频谱必须满足频谱规范的要求,因此读写器中的功率放大器都使用效率较低的线性功率放大器。这样使读写器在同样的发射功率下功耗增大,不利于低功耗便携式读写器的实现。

发明内容

针对上述问题,本发明提出了一种超高频低功耗射频识别读写器发射通路的设计方案,其目的是降低读写器功耗,如图2所示。它包括:基带控制模块,上变频模块和功率放大模块。基带控制模块可以使用单片机、数字信号处理器、可编程逻辑阵列等来实现,上变频采用混频器或开关电路实现。

本发明的特征之一在于,含有:基带控制器,本振发生器,上变频器,非线性功率放大器和线性功率放大器,还有天线,其中:

基带控制器,是一个单片机,设有:本振频率控制输出端,射频标签控制信号输出端,以及功率放大器选择控制信号输出端;

本振发生器,是一个频率综合器,设有横幅载波信号输出端,本振频率控制输入端,与所述单片机本振频率控制输出端相连,接收本振频率控制信号;

上变频器,是一个混频器,设有:横幅载波控制信号输入端,与所述频率综合器的横幅载波信号输出端相连,接收横幅载波信号;还设有射频标签控制信号输入端,与所述单片机相对应的输出端相连,接收射频标签发送指令的控制信号;

非线性功率放大器,设有:横幅载波信号输入端,与所述变频器的对应输出端相连,接收横幅载波信号后,通过天线向所述的射频标签提供所需要的工作能量;

线性功率放大器,设有:射频标签指令信号输入端,与所述混频器的对应输出端相连,接收射频标签指令信号,接收射频标签指令信号后,通过天线向所述的射频标签发出指令;

其中,所述单片机根据以下步骤向射频标签发出指令信号:

步骤(1),所述单片机启动线性功率放大器,在时间t1内经过所述混频器、线性功率放大器、天线后向射频标签发出功率为P的指令信号,向所述射频标签发送指令并为其提供工作所需的能量;

步骤(2),所述单片机关闭线性功率放大器,启动非线性功率放大器,并依次经过所述混频器、非线性放大器后,通过所述天线发出功率也为P的横幅载波信号,为所述射频标签提供工作所需的能量;

步骤(3),所述单片机经过标签应答等待时间t2后,收到所述射频标签的应答;

步骤(4),所述单片机按下式计算所述发射电路的功耗P2:

P2=(P*t1/y1+P*t2/y2)/(t1+t2),

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