[发明专利]光盘、记录装置、读取装置、记录方法及读取方法无效

专利信息
申请号: 200810099110.2 申请日: 2006-01-13
公开(公告)号: CN101266825A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 甲斐田优;伊藤基志 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11B20/18 分类号: G11B20/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光盘 记录 装置 读取 方法
【说明书】:

专利申请是2006年6月29日进入中国国家阶段,发明名称为“光 盘、记录装置、读取装置及方法”的第200680000033.X号专利申请(国际 申请号PCT/JP2006/300379,申请日2006年1月13日)的分案申请。

技术领域

本发明涉及包含用于临时记录缺陷项的技术的技术领域。

背景技术

缺陷项是使缺陷簇的位置与用于代替缺陷簇的替换扇区的位置相关联 的信息。

缺陷项的临时记录是这样一个过程,其中在将数据记录到一次写入式 光盘期间检测到缺陷区时,将关于缺陷区的缺陷项记录到临时区中。需要 临时写入缺陷项的原因如下。在光盘中,预先提供称为缺陷管理区(DMA) 的区域,用于在其中写入缺陷项。但是,在一次写入式光盘里,在执行结 束处理之前,不允许将缺陷项写入DMA中。这是因为一旦数据被写入一 次写入式光盘中,以后就不能重写这些数据。也就是说,一旦将关于缺陷 区的缺陷项写入DMA,就不能添加或者更新DMA中的数据,即使随后检 测到其它缺陷区。为此,当在记录处理期间检测到缺陷区时,需要将关于 缺陷区的缺陷项写入临时缺陷管理区或者临时盘管理结构(TDMS)中。

作为现有技术,下述文献公开了一种用于写入临时缺陷区列表或者临 时缺陷列表(下文中称为TDFL)的技术,该临时缺陷列表包括多个关于缺 陷区的缺陷项。

文献1:日本专利No.2671656(图3~6)

本发明要解决的问题

在DMA中设置多个缺陷区列表,使得由缺陷区列表所表明的缺陷区 的地址按照递增顺序连续排列。通过这种布局,如果以自内圆周至外圆周 的顺序从光盘以光学方式读取数据,则会按照由缺陷区列表所表明的缺陷 区的地址递增顺序将多个缺陷区列表读出至存储器。在假定缺陷区列表是 按照上述顺序排列在存储器中的情况下,驱动装置的固件利用所述缺陷区 列表进行处理。由于驱动装置的固件是用于控制叫做物理层的基本软件, 所以该固件需要按照上述顺序提供缺陷区列表。

记录在TDMS中的缺陷区列表与记录在DMA中的缺陷区列表具有相 同的属性,因此,需要按照由缺陷区列表所表明的缺陷区的地址的递增顺 序,将所述缺陷区列表读出并设置到存储器上。否则,固件将不能正常地 处理缺陷区列表。

由于上述原因,记录在传统光盘的TDMS中的缺陷区列表按照由缺陷 区列表所表明的缺陷区的地址递增顺序而顺序排列。但是,这种按照缺陷 区地址递增顺序排列缺陷区列表的要求破坏了在传统光盘中安排缺陷区列 表的自由。由于缺乏自由,如果在记录多个缺陷区列表的过程中检测到缺 陷簇,就不能离散地记录多个缺陷区列表,而是必须将所有缺陷区列表重 新记录在缺陷簇之后的簇中。

如上所述,由于所有缺陷区列表都应当重新记录在缺陷簇之后的簇中, 所以分配给TDMS的区域会被迅速消耗。

图1示出在写入多个缺陷区列表期间检测到缺陷簇时如何进行处理。 图1的第一行表示构成TDMS#j的多个簇。图中示出多个临时缺陷区列表。 在构成第一行的TDMS的多个簇中,簇#2是缺陷簇。第二行表明已将 TDFL#1写入簇#1中的状态,第三行表明不能将TDFL#2写入簇#2中的状 态。根据传统技术,应当连续排列TDFL#1至TDFL#4。因此,作为重试, 将TDFL#1至TDFL#4以及临时盘定义结构(TDDS)写入簇#3及其后的 簇中。TDDS是表明在TDFL#1至TDFL#4中第一TDFL的位置(图1中 的地址C3)的信息。第四至第七行示出将TDFL#1至TDFL#4以及TDDS 写入簇#3及其后续簇中的处理。

此处,在光盘上将TDMS分配给称为导入区的特定区。因此,TDFL 的这种传统设置存在分配给TDMS的区域会被迅速消耗的问题,其中TDFL 的这种设置要求在检测到缺陷簇时,应当将一组缺陷区列表中的所有缺陷 区列表均重新记录在缺陷簇之后的簇中。

因此,本发明的目的是提供一种光盘,利用它能够以预定的顺序将多 个缺陷区列表读取到存储器,同时防止临时缺陷管理区(TDMS)被迅速 消耗。

发明内容

解决问题的手段

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