[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法无效
申请号: | 200810098710.7 | 申请日: | 2008-05-30 |
公开(公告)号: | CN101388222A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 孔硕贤;朴相奂;李厚山;李宅东;吴薰翔 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B5/667;G11B5/673;G11B5/64 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
技术领域
符合本发明的设备和方法涉及垂直磁记录介质,更具体而言,涉及所包 括的记录层具有小的磁晶粒并且热稳定的垂直磁记录介质以及所述垂直磁 记录介质的制造方法。
背景技术
随着各种应用中处理的数据量的迅速提高,人们对用于记录和再现数据 的更高密度的数据存储器件的要求也提高了。具体而言,由于采用磁记录介 质的磁记录器件具有高存储容量和高速存取,因而作为各种数字装置以及计 算机系统的数据存储器件,它们吸引了广泛的注意。
可以将磁记录器件的数据记录粗略划分为纵向磁记录和垂直磁记录。在 纵向磁记录中,采用磁层的磁化的平行取向(parallel alignment)在磁层的表面 上记录数据。在垂直磁记录中,利用磁层的垂直取向在磁层的表面上记录数 据。从数据记录密度的角度而言,垂直磁记录比纵向磁记录更具优势。
垂直磁记录介质具有双层结构,其包括形成记录磁场的磁路径(magnetic path)的软磁衬层(underlayer)以及通过软磁衬层沿垂直于磁记录介质的表面 的方向磁化的记录层。
为了实现高密度记录,垂直磁记录介质必须具有记录层的高矫顽力和垂 直磁各向异性能,以确保所记录的数据的稳定性,此外还必须具有小晶粒尺 寸以及由于晶粒(grain)之间的低交换耦合常数得到的小磁畴尺寸。交换耦合 常数是指记录层的晶粒之间的磁相互作用的强度。随着交换耦合常数的降 低,晶粒之间的解耦将变得更加容易。为了制造这样的高密度垂直磁记录介 质,需要记录层的垂直晶体取向和磁各向异性能Ku最大化的技术。
发明内容
本发明的示范性实施例克服了上述缺点以及上文未描述的其他缺点。此 外,不要求本发明克服上述缺点,而且本发明的示范性实施例可能未克服任 何上述问题。
本发明提供了一种垂直磁记录介质,其能够提高记录层的磁各向异性能 Ku,清晰地分隔紧密形成于所述记录层中的晶粒,并改善晶体取向,本发明 还提供了一种垂直磁记录介质的制造方法。
根据本发明的一个方面,提供了一种垂直磁记录介质,其包括:衬底; 形成于所述衬底上的软磁层;形成于所述软磁层上的衬层;以及包括多个铁 磁层并且形成于所述衬层上的记录层,其中,所述多个铁磁层中的每者具有 随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
根据本发明的另一方面,提供了一种垂直磁记录介质的制造方法,所述 方法包括:在衬底上形成软磁层;在所述软磁层上形成缓冲层;在所述缓冲 层上形成由Ru和氧形成的衬层;在所述衬层上形成多个铁磁层;以及在所 述多个铁磁层上淀积由CoCrPtB形成的帽盖层,其中,所述多个铁磁层中的 每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
附图说明
通过参考附图描述本发明的示范性实施例,本发明的上述和其他特征将 变得显而易见,其中:
图1是根据本发明的示范性实施例的垂直磁记录介质的截面图;
图2是图1的垂直磁记录介质的衬层的透射电子显微镜(TEM)图像;
图3A到3C是示出了按照不同顺序叠置记录层的铁磁层时的磁特性的 曲线图;
图4是图1的垂直磁记录介质的记录层的TEM图像;
图5是示出了在采用帽盖层时以及不采用帽盖层时记录层的磁滞回线的 曲线图;以及
图6A到6E是示出了根据本发明的示范性实施例的垂直磁记录介质的 制造方法的截面图。
具体实施方式
现在将参考示出了本发明的示范性实施例的附图更为充分地说明本发 明。但是,可以通过很多种不同的形式体现本发明,不应将本发明推断为限 于文中阐述的示范性实施例;相反,提供这些示范性实施例的目的只是为了 使本公开完整、彻底,并向本领域技术人员充分传达本发明的概念。在附图 中,采用相同的附图标记表示相同的元件,并且为了清晰和方便起见夸大了 元件的厚度。
图1是根据本发明的示范性实施例的垂直磁记录介质的截面图。
参考图1,其中,通过依次叠置衬底10、软磁衬层12、缓冲层14、衬 层16、记录层22、保护层30和润滑层32形成垂直磁记录介质。
衬底10可以由玻璃或AlMg合金形成,并且可以具有盘形。
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