[发明专利]屏蔽装置和制造屏蔽装置的方法有效
申请号: | 200810096458.6 | 申请日: | 2008-05-09 |
公开(公告)号: | CN101578032A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 沈国良 | 申请(专利权)人: | 莱尔德电子材料(深圳)有限公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;B21D28/10;B21C23/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 党晓林 |
地址: | 518103深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽 装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明大体上涉及一种电磁干扰(EMI)屏蔽装置及其制造方法,更具体地涉及一种适用于为基板上的一个或多个电气部件提供电磁干扰屏蔽的屏蔽装置及制造该屏蔽装置的方法。
背景技术
本部分的描述仅提供与本发明公开相关的背景信息,而不构成现有技术。在正常操作中,设备中的电子/电气部件通常会产生不期望的电磁能,由于通过辐射产生的EMI传输,该电磁能会干扰相邻的电子/电气部件的操作。为了消除或至少减轻由电磁干扰产生的负面影响,可使用屏蔽罩/装置来为电子/电气部件提供电磁干扰屏蔽。
一种常见的传统屏蔽装置具有两部件式结构,即框架和盖,其中盖安装到框架上。传统屏蔽装置主要是通过SMT焊接方式将框架固定在PCB(印刷电路板)上,然后将盖电连接和固定到框架上,从而对被框架和盖遮蔽的电器部件进行屏蔽。
但是,两部件式屏蔽装置不可避免地具有位于屏蔽装置的盖和框架的邻接部分之间的间隙,所述间隙能允许EMI从中通过,从而降低屏蔽效果。目前,随着越来越多的电子部件所产生的频率增大的趋势,为了获得期望的屏蔽效果以及避免来自所述间隙的RF(射频)泄露,所期望的是,使位于屏蔽装置的盖和框架之间的间隙降低到尽可能地小。
就两部件式屏蔽装置而言,为了在所述盖和所述框架之间设置锁定部件/结构以将所述盖安装到所述框架,现有的两件式屏蔽罩都采用盖与框架的侧边卡扣或突点式装配。例如专利号为US5,917,708的美国专利提供了一种盖与框架的突点式连接结构。其中,框架的侧壁外表面上设置间隔设有多个凹坑,而在盖的侧壁内表面上设置相对应的多个凸起。在将框架和盖组装时,利用设置在盖的侧壁内表面上的凸起与设置在框架的侧壁外表面上的凹坑之间的接合,将盖固定和电连接到框架上。
在上述结构中,由于卡扣或突点位于屏蔽罩的盖的侧边和相应的框架的侧边,在进行盖与框架组装后,盖的侧边需要与框架的侧边部分重叠而使卡扣或突点进行卡合,因而在组装后会占用屏蔽罩侧边的空间。并且,虽然在盖的侧边和框架的侧边布置了多个卡扣或突点结构,但是在盖与框架卡合后,在卡扣和突点配合之间的位置仍然会存在装配间隙,特别是多个卡扣和突点的卡合连接,很难保证每一处卡合位置都能达到良好的配合,在部分卡扣或突点位置会出现配合不良的情况,从而可能会增大装配间隙,因此装配后的盖和框架的连接处很难达到零装配间隙,而这些装配间隙的存在会消弱屏蔽罩的接地和屏蔽性能,可能会造成PF泄露。
发明内容
本发明提供一种屏蔽装置及制造屏蔽装置的方法,不但可以不占用屏蔽装置的侧边空间,而且能够实现盖与框架的零装配间隙,保证屏蔽装置的接地和屏蔽性能。
本发明提供的屏蔽装置包括:
盖,该盖为平板状并且具有顶部,在顶部上具有朝向框架突出的至少一个突起接合部;
框架,该框架具有顶部和从顶部向下延伸的侧边,在顶部具有对应于所述盖的突起接合部的至少一个接合开口;每个接合开口的周边轮廓与相对应的突起接合部的周边轮廓相一致;
其中,所述盖的突起接合部过盈挤压接合在所述框架对应的接合开口上,形成盖与框架的组装结构。
这样,由于盖是通过顶部的突起接合部与框架顶部的接合开口过盈挤压接合在一起的,与现有的通过盖的侧边与框架的侧边的卡扣或突点结构相比,盖可以不设置侧边,因而也不会占用屏蔽装置侧边的空间。另外,由于盖不需要制造侧边,与现有的具有侧边的盖相比,也可以节省约30%的材料。并且,由于盖与框架是在顶部进行铆接连接在一起的,能够使突起接合部与接合开口周边的紧密接触,盖与框架的连接处几乎不存在间隙,实现了盖与框架的零间隙装配,从而保证屏蔽装置的接地和屏蔽性能,避免了RF从盖与框架连接处的泄露。
这样,其中,本发明中提到的过盈挤压接合在冲压领域中也通常被称为铆接。
在本发明的一个实施方式中,所述盖顶部的突起接合部的凸出高度为0.10mm至0.19mm(例如可为0.15mm),或为所述盖的顶部壁厚的二分之一至五分之四。
在本发明的一个实施方式中,在所述突起接合部的周边轮廓和接合开口周边轮廓均形成为具有多个凸部和/或凹部的凸凹形状,以在突起接合部和对应接合开口的连接处形成曲折的连接轮廓,进一步提高连接的可靠性,并避免RF泄露。
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