[发明专利]液晶显示装置

说明书

本申请是申请日为2005年12月26日、申请号为200510107382.9、发明名 称为“液晶显示装置”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及使用在电视机及电子设备的显示部的液晶显示装置。

背景技术

图22A与图22B表示MVA(Mult-domain Vertical Alignment；多领域垂直 排列)方式的垂直取向型液晶显示面板的结构的一个例子。图22A示意性表示 液晶显示面板101的剖面结构。图22B表示在法线方向上看见显示画面的MVA 方式的液晶显示面板101的像素的结构。如图22A及图22B所示，液晶显示面 板101具有形成薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)110等的TFT基板102、 以及形成共用电极与滤色片(CF)层(未图示)的对向基板103。两块基板102、103 用周边密封材料105贴合。又，在两块基板102、103间密封液晶层104。TFT 基板102与对向基板103之间的空隙(单元间隙)以衬垫106维持规定的间隔。 该单元间隙有时利用突起状衬垫取代衬垫106，维持规定的间隙。在TFT基板 102和与对向基板103的对向侧的相反侧的面上，分别将偏振板107配置于例 如交叉尼科耳棱镜上。又，在TFT基板102上形成安装液晶驱动用IC(未图示) 的安装用端子108。

如图22B所示，TFT基板102具有在图中的左右方向上延伸形成的栅极总 线112、以及在栅极总线112上隔着绝缘膜交叉，在图中上下方向上延伸形成 的漏极总线111。在两总线111、112的交叉位置近旁形成像素驱动用的TFT110。 栅极总线112的一部分作为TFT110的栅极电极发挥作用。TFT110的漏极电极 (D)电气连接在漏极总线111。TFT110的源极电极(S)电气连接在两总线111、 112划定的像素区域上形成的像素电极109。形成横过像素区域，与栅极总线 112并列延伸的贮存电容总线117。贮存电容总线117上隔着绝缘膜在每个像 素上形成贮存电容电极(中间电极)116。利用贮存电容总线117、贮存电容电极 116以及在夹在其间的绝缘膜形成贮存电容Cs。

在像素电极109上形成穿出电极材料的缝隙114。在对向基板103侧形成线 状突起115。缝隙114及线状突起115作为限制在施加电压时液晶层104的液 晶分子(未图示)倾倒下的方向的取向限制用构件起作用。像素区域内利用缝隙 114及线状突起115划分区域，使液晶分子倒向四个方向。由于液晶103倒向 四个方向，与只倾倒向一个方向的液晶显示装置相比，使视角的偏向平均化。 借助于此，视角特性大幅度改善。这样的技术被称为取向分割技术。

图23A～图23C示意性表示使用取向分割技术的MVA方式的液晶显示装置 的剖面结构。图23A表示液晶层104不施加电压的状态。在图23和23C表示 液晶层104上施加电压的状态。在图23A及23B中，作为取向限制用构件的线 状突起115形成在按次序形成共用电极118及垂直配向膜119的对向基板103 与形成像素电极109的TFT基板102的两块基板上。图23C中，作为取向限制 用构件的缝隙114仅设于TFT基板102侧。但也有仅在一方的基板上设线状突 起115的情况(未图示)。

如图23A所示，在不施加电压时，液晶分子120在TFT基板102的基板面 上实质上垂直取向。当在两块基板102、103间施加电压时，如图23B所示， 按照线状突起115的形状决定液晶分子120倾倒的方向。又如图23C所示，在 形成缝隙114的结构中，当在两块基板102、103间施加电压时，也由在液晶 层104上产生的电场的效应，决定了液晶分子120倾倒的方向。又已经知道有 在两块基板102、103的一方上形成线状突起115(未图示)，在另一方基板上 形成缝隙114的液晶显示面板，该结构在当前的MVA方式的液晶显示装置中 使用得最多。

专利文献1：日本特开平2-12号公报

专利文献2：美国专利第4840460号说明书

专利文献3：日本特许第3076938号公报

专利文献4：日本特开2002-333870号公报