[发明专利]离子成像屏蔽电极系统无效
申请号: | 200810093802.6 | 申请日: | 2008-04-29 |
公开(公告)号: | CN101571509A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 周畅;莫宇翔 | 申请(专利权)人: | 周畅 |
主分类号: | G01N27/64 | 分类号: | G01N27/64;G12B17/02 |
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地址: | 100084北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 成像 屏蔽电极 系统 | ||
1.一种离子成像屏蔽电极系统,其特征在于,包括不锈钢屏蔽筒、电极片、陶瓷绝缘柱、底座、电极固定片、封闭盖。所述不锈钢屏蔽筒为圆柱形中空结构,屏蔽筒的前后用封闭盖和底座完全封闭。整个屏蔽筒接地,底座用螺丝固定在真空腔体的侧壁上。屏蔽筒内有19片无氧铜电极,所述电极为同心圆环铜片,电极分成两组,所有电极片均固定在陶瓷绝缘柱上。所述陶瓷绝缘柱后端用螺丝固定在底座上,前端固定在电极固定片上。在屏蔽筒的侧壁上开有一个狭长豁口,用以引出电极电线。本发明离子聚焦效果好,速度分辨率好于2%,同时对外界电磁信号屏蔽作用明显,适用于小电场弱信号离子成像实验。
2.如权利要求1所述的离子成像屏蔽电极系统,其特征在于,电极片分为两组,调节两组电极片上所加的电压,可以实现离子速度聚焦。
3.如权利要求1所述的离子成像屏蔽电极系统,其特征在于,整个电极处于不锈钢屏蔽圆筒内,电场区域与外界通过屏蔽筒隔绝。
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