[发明专利]快闪存储装置的控制电路与操作快闪存储装置的方法无效
申请号: | 200810093323.4 | 申请日: | 2008-04-18 |
公开(公告)号: | CN101295542A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 朱锡镇 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 装置 控制电路 操作 方法 | ||
1.一种操作快闪存储装置的方法,该快闪存储装置具有第一区域及第 二区域,该方法包括:
接收编程命令,编程数据与该编程命令相关;
如果该所接收的编程命令是用以编程该第二区域的命令,则反相该编 程数据;
将该反相编程数据编程至该第二区域中,
其中,第一状态表示在该第一区域中的编程状态及在该第二区域中的 擦除状态,以及第二状态表示在该第一区域中的擦除状态及在该第二区域 中的编程状态;以及
如果编程该第二区域,则编程旗标单元。
2.如权利要求1所述的方法,其中,该第一区域是数据区域,并且该 第二区域是文件配置表FAT区域。
3.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
如果该编程命令是用以编程该第一区域的命令,则输入该编程数据而 不反相该编程数据。
4.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
接收读取命令;
依据该所接收的读取命令执行读取操作,以获得读取数据;
如果该读取命令是用以读取该第二区域的命令,则反相该读取数据; 以及
输出该反相读取数据。
5.如权利要求4所述的方法,其中,根据该旗标单元的状态来确定该 读取命令是否与读取该第二区域有关。
6.如权利要求5所述的方法,其中,如果该旗标单元处于编程状态, 则确定该读取命令为用以读取该第二区域的命令。
7.一种快闪存储装置的控制电路,该快闪存储装置包括具有第一区域 及第二区域的单元阵列,该控制电路包括:
旗标单元阵列,具有多个旗标单元;
存储单元阵列,具有多个存储单元;
旗标单元页面缓冲器,被配置成用以控制所述旗标单元的操作;
主页面缓冲器,被配置成用以控制所述存储单元的操作;以及
数据反相器,被配置成用以在预定条件下反相被输入至该主页面缓冲 器的数据,
其中,第一状态表示在该第一区域中的编程状态及在该第二区域中的 擦除状态,以及第二状态表示在该第一区域中的擦除状态及在该第二区域 中的编程状态。
8.如权利要求7所述的控制电路,其中,该第一区域是数据区域,并 且该第二区域是文件配置表FAT区域。
9.如权利要求8所述的控制电路,其中,该数据反相器包括:
晶体管,被配置成响应于旗标控制信号而进行切换;以及
反相器,串联连接至该晶体管。
10.如权利要求7所述的控制电路,其中,该主页面缓冲器包括:
第一数据输入/输出线,如果对该第一区域执行读取操作,则经由该第 一数据输入/输出线输出数据而不反相;以及
第二数据输入/输出线,如果对该第二区域执行读取操作,则经由该第 二数据输入/输出线输出反相数据。
11.如权利要求10所述的控制电路,进一步包括:
反相器,串联连接至该第二数据输入/输出线,以反相从该第二区域所 读取的数据。
12.如权利要求10所述的控制电路,其中,如果该旗标单元处于编程 状态,则连接该第二数据输入/输出线。
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