[发明专利]快闪存储装置的控制电路与操作快闪存储装置的方法无效

专利信息
申请号: 200810093323.4 申请日: 2008-04-18
公开(公告)号: CN101295542A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 朱锡镇 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 闪存 装置 控制电路 操作 方法
【权利要求书】:

1.一种操作快闪存储装置的方法,该快闪存储装置具有第一区域及第 二区域,该方法包括:

接收编程命令,编程数据与该编程命令相关;

如果该所接收的编程命令是用以编程该第二区域的命令,则反相该编 程数据;

将该反相编程数据编程至该第二区域中,

其中,第一状态表示在该第一区域中的编程状态及在该第二区域中的 擦除状态,以及第二状态表示在该第一区域中的擦除状态及在该第二区域 中的编程状态;以及

如果编程该第二区域,则编程旗标单元。

2.如权利要求1所述的方法,其中,该第一区域是数据区域,并且该 第二区域是文件配置表FAT区域。

3.如权利要求1所述的方法,进一步包括:

如果该编程命令是用以编程该第一区域的命令,则输入该编程数据而 不反相该编程数据。

4.如权利要求1所述的方法,进一步包括:

接收读取命令;

依据该所接收的读取命令执行读取操作,以获得读取数据;

如果该读取命令是用以读取该第二区域的命令,则反相该读取数据; 以及

输出该反相读取数据。

5.如权利要求4所述的方法,其中,根据该旗标单元的状态来确定该 读取命令是否与读取该第二区域有关。

6.如权利要求5所述的方法,其中,如果该旗标单元处于编程状态, 则确定该读取命令为用以读取该第二区域的命令。

7.一种快闪存储装置的控制电路,该快闪存储装置包括具有第一区域 及第二区域的单元阵列,该控制电路包括:

旗标单元阵列,具有多个旗标单元;

存储单元阵列,具有多个存储单元;

旗标单元页面缓冲器,被配置成用以控制所述旗标单元的操作;

主页面缓冲器,被配置成用以控制所述存储单元的操作;以及

数据反相器,被配置成用以在预定条件下反相被输入至该主页面缓冲 器的数据,

其中,第一状态表示在该第一区域中的编程状态及在该第二区域中的 擦除状态,以及第二状态表示在该第一区域中的擦除状态及在该第二区域 中的编程状态。

8.如权利要求7所述的控制电路,其中,该第一区域是数据区域,并 且该第二区域是文件配置表FAT区域。

9.如权利要求8所述的控制电路,其中,该数据反相器包括:

晶体管,被配置成响应于旗标控制信号而进行切换;以及

反相器,串联连接至该晶体管。

10.如权利要求7所述的控制电路,其中,该主页面缓冲器包括:

第一数据输入/输出线,如果对该第一区域执行读取操作,则经由该第 一数据输入/输出线输出数据而不反相;以及

第二数据输入/输出线,如果对该第二区域执行读取操作,则经由该第 二数据输入/输出线输出反相数据。

11.如权利要求10所述的控制电路,进一步包括:

反相器,串联连接至该第二数据输入/输出线,以反相从该第二区域所 读取的数据。

12.如权利要求10所述的控制电路,其中,如果该旗标单元处于编程 状态,则连接该第二数据输入/输出线。

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