[发明专利]混合闪存装置、存储系统以及控制误差的方法

权利要求书

1、一种具有误差控制和纠正(ECC)能力的混合闪存装置，并且包括：

控制块，响应外部提供的命令；

数据存储块，包括具有第一闪存单元的第一数据存储区域和具有第二闪存单元的第二数据存储区域，其中所述第一闪存单元和第二闪存单元在每个存储单元存储不同的数据比特数；和

误差控制块，包括用以实现第一误差控制方案的第一ECC块和用以实现第二误差控制方案的第二ECC块，

其中所述命令指明指向存储在第一数据存储区域中的数据的数据存取操作，控制块选择第一ECC块的操作，使得误差控制块根据第一误差控制方案进行操作，并且其中所述命令指明指向存储在第二数据存储区域中的数据的数据存取操作，控制块选择第二ECC块的操作，使得误差控制块根据该第二误差控制方案进行操作。

2、根据权利要求1的装置，其中，每个第一闪存单元存储1比特数据，并且每个第二闪存单元存储M比特数据，其中M为大于1的正整数。

3、根据权利要求1的装置，其中，每个第一闪存单元存储i比特数据，并且每个第二闪存单元存储j比特数据，其中i为大于j的正整数。

4、根据权利要求3的装置，其中i比特数据是2比特数据而j比特数据是3比特数据，或者i比特数据是3比特数据而j比特数据是4比特数据。

5、根据权利要求1的装置，其中所述误差控制块包括分别实现通过控制块选择的附加误差控制方案的附加ECC块。

6、根据权利要求1的装置，其中该第一误差控制方案至少使用Bose、Ray-Chaudhuri、Hocquenghem(BCH)码或Reed-Solomon(RS)码之一以控制与存储在第一闪存单元中的数据相关联的误差。

7、根据权利要求1的装置，其中该第二误差控制方案至少实现局部读取方法和最大似然(ML)方法之一以控制与存储在第二闪存单元中的数据相关联的误差。

8、一种存储系统，包括：

存储控制器，响应从主机装置接收的命令来生成数据存取操作，并包括误差控制块，该误差控制块包括用以实现第一误差控制方案的第一ECC块和用以实现第二误差控制方案的第二ECC块；以及

闪存装置，包括数据存储块，该数据存储块包括具有第一闪存单元的第一数据存储区域和包括第二闪存单元的第二数据存储区域，其中所述第一闪存单元和第二闪存单元在每个存储单元存储不同的数据比特数，

其中，如果数据存取操作指向存储在该第一数据存储区域中的数据，则存储控制器选择第一ECC块的操作，使得误差控制块根据第一误差控制方案进行操作，但是如果数据存取操作指向存储在第二数据存储区域中的数据，则存储控制器选择第二ECC块的操作，使得误差控制块根据第二误差控制方案进行操作。

9、根据权利要求8的存储系统，其中，每个第一闪存单元存储1比特数据，并且每个第二闪存单元存储M比特数据，其中M为大于1的正整数。

10、根据权利要求8的存储系统，其中，每个第一闪存单元存储i比特数据，并且每个第二闪存单元存储j比特数据，其中i为大于j的正整数。

11、根据权利要求10的存储系统，其中i比特数据是2比特数据并且j比特数据是3比特数据，或者i比特数据是3比特数据并且j比特数据是4比特数据。

12、根据权利要求8的存储系统，其中所述误差控制块包括分别实现通过控制块选择的附加误差控制方案的附加ECC块。

13、根据权利要求8的存储系统，其中所述第一误差控制方案至少使用Bose、Ray-Chaudhuri、Hocquenghem(BCH)码和Reed-Solomon(RS)码之一以控制与存储在第一闪存单元中的数据相关联的误差。

14、根据权利要求8的存储系统，其中所述第二误差控制方案至少实现局部读取方法和最大似然(ML)方法之一以控制与存储在第二闪存单元中的数据相关联的误差。

15、根据权利要求8的存储系统，其中所述闪存装置和所述存储控制器通常实现在闪存卡上。

16、根据权利要求8的存储系统，其中所述存储控制器实现在终端装置或计算机中。