[发明专利]固体摄像装置无效
申请号: | 200810091919.0 | 申请日: | 2008-04-10 |
公开(公告)号: | CN101291388A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 户谷宽;久保洋士 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H04N3/15 | 分类号: | H04N3/15;H04N5/217;H04N5/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
1.一种固体摄像装置,包括:多个像素部,被排列为矩阵状;列信号线,被设置在所述多个像素部的每个列上,并传输来自对应的列上的像素部的像素信号;列放大器单元,被设置在每个列信号线上;电源布线;以及接地布线;该固体摄像装置的特征在于,
所述各个列放大器单元包括:
恒定电流电路,提供恒定电流;
放大电路,与所述恒定电流电路串联连接,放大来自对应的列信号线的所述像素信号,并从与所述恒定电流电路的接点输出放大信号;以及
电阻电路,与所述放大电路并联连接,并具有一定的电阻值;
所述电源布线与多个所述恒定电流电路连接;
所述接地布线与多个所述放大电路以及多个所述电阻电路连接;
所述电源布线以及所述接地布线由多个所述列放大器单元专用;
所述电源布线的布线电阻和所述接地布线的布线电阻的比,与所述列放大器单元内的所述恒定电流电路的传导率和所述放大电路以及所述电阻电路的传导率的比相同。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,包括:
相关双重检测电路,接受来自所述各个列放大器单元的信号;以及
输出部,接受来自所述相关双重检测电路的信号,放大后输出模拟信号。
3.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,包括:
相关双重检测电路,接受来自所述各个列放大器单元的信号;以及
模拟-数字转换器,接受来自所述相关双重检测电路的信号,并从模拟信号转换为数字信号。
4.如权利要求3所述的固体摄像装置,其特征在于,所述模拟-数字转换器为斜式的模拟-数字转换器。
5.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,包括模拟-数字转换器,具有数字双取样功能,接受来自所述各个列放大器单元的信号,并从模拟信号转换为数字信号。
6.如权利要求5所述的固体摄像装置,其特征在于,所述模拟-数字转换器为上/下方式的模拟-数字转换器。
7.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述固体摄像装置具有:
电源布线,与多个所述恒定电流电路连接;以及
接地布线,与多个所述放大电路以及多个所述电阻电路连接;
包括所述电源布线以及所述接地布线的金属布线层位于,包括连接所述放大电路和所述电阻电路的布线的布线层之上。
8.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述恒定电流电路具有至少一个晶体管,以作为恒流源;
所述放大电路具有第一放大晶体管,所述像素信号被输入到该第一放大晶体管的栅极,并从源极或漏极输出放大信号;
所述电阻电路具有晶体管,该晶体管的栅极被施加有与线性区域相对应的偏压。
9.如权利要求8所述的固体摄像装置,其特征在于,所述恒定电流电路中的至少一个晶体管为,被共射-共基连接的两个pMOS晶体管。
10.如权利要求9所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述固体摄像装置进一步包括偏置电路,该偏置电路控制流入到所述各个列放大器单元的恒定电流的大小;
所述偏置电路包括:
第一负载用nMOS晶体管,漏极与恒流源连接,漏极和栅极短路,源极接地;
第一电路,与所述第一负载用nMOS晶体管构成电流镜电路;以及
第二电路,与所述第一负载用nMOS晶体管构成电流镜电路;
所述第一电路将第一偏压提供到,所述被共射-共基连接的两个MOS晶体管中的一个MOS晶体管的栅极;
所述第二电路将第二偏压提供到,所述被共射-共基连接的两个MOS晶体管中另一个MOS晶体管的栅极;
在形成所述固体摄像装置的半导体衬底上,作为所述放大电路的MOS晶体管的区域的长度和宽度的比,与所述第一负载用nMOS晶体管相同。
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