[发明专利]具有辅助边缘磁体的矩形磁控管

权利要求书

1.一种用在等离子体溅射系统中的磁控管组件，包括：

主磁控管，其布置在矩形轮廓内，所述矩形轮廓具有两个相对的第一 边和两个垂直于所述第一边的相对的第二边，所述主磁控管包括至少一个 具有第一磁极性的第一磁极和至少一个具有与所述第一磁极性相反的第二 磁极性的第二磁极，所述第二磁极包围相应的所述第一磁极并通过相应的 间隙与所述第一磁极分开，所述间隙以闭合的环状在平行于所述第一边的 第一线性部分和与所述第二边相邻的弯曲部分中延伸；以及

辅助磁体组件，其包括具有所述第一磁极性的部分，该部分布置在所 述主磁控管的外部并与所述间隙的所述弯曲部分相邻。

2.根据权利要求1所述的磁控管组件，其中，所述辅助磁体组件各包 括辅助磁控管，所述辅助磁控管包括具有所述第一磁极性的第三磁极和包 围所述第三磁极的具有所述第二磁极性的第四磁极。

3.根据权利要求1所述的磁控管组件，其中，所述辅助磁体组件至少 具有平行于所述第二边延伸的中央部分。

4.根据权利要求1所述的磁控管组件，其中，所述主磁控管组件包括 折叠的跑道型磁控管。

5.根据权利要求4所述的磁控管组件，其中，所述辅助磁体组件各包 括辅助磁控管，所述辅助磁控管包括具有所述第一磁极性的第三磁极和包 围所述第三磁极并具有所述第二磁极性的第四磁极。

6.根据权利要求5所述的磁控管组件，其中，所述辅助磁控管至少具 有平行于所述第二边延伸的中央部分。

7.根据权利要求5所述的磁控管组件，其中，每个所述辅助磁控管比 所述主磁控管弱。

8.根据权利要求4所述的磁控管组件，其中，所述辅助磁体组件包括 三角形的磁控管，所述三角形的磁控管设置在所述折叠跑道型磁控管的所 述弯曲部分之间的拱肩区域中。

9.根据权利要求1所述的磁控管组件，其中，所述主磁控管包括一个 跑道型磁控管，所述跑道型磁控管包括直线延伸的第一极。

10.根据权利要求1所述的磁控管组件，其中，所述主磁控管包括多 个跑道型磁控管，每个所述跑道型磁控管包括相应的直线延伸的第一极。

11.根据权利要求10所述的磁控管组件，其中，所述辅助磁体组件包 括多个弧形磁体组件，所述多个弧形磁体组件布置在所述跑道型磁控管中 相对的各弯曲端中相应的弯曲端的端部周围。

12.根据权利要求11所述的磁控管组件，其中，所述弧形磁体组件的 每一个包括弧形磁控管，所述弧形磁控管包括具有所述第一磁极性的第三 磁极和包围所述第三磁极并具有所述第二磁极性的第四磁极。

13.根据权利要求1所述磁控管组件，其中，所述辅助磁体组件设置 成不与所述第一边相邻。

14.一种用于在矩形面板上进行溅射沉积的溅射室，包括：

真空室；

基座，其设置在所述真空室中用于支撑所述面板；

大致成矩形的靶组件，其与所述基座相对地被密封到所述真空室；以 及

大致成矩形的磁控管，其设置在所述靶组件的与所述基座相反的一 侧，并包括

主磁控管，其布置在矩形轮廓内，所述矩形轮廓具有两个相对的第一 边和两个垂直于所述第一边的相对的第二边，所述主磁控管包括至少一个 具有第一磁极性的第一磁极和至少一个具有与所述第一磁极性相反的第二 磁极性的第二磁极，所述第二磁极包围所述第一磁极并通过相应的间隙与 所述第一磁极分开，所述间隙以闭合的环状在平行于所述第一边的第一线 性部分和与所述第二边相邻的弯曲部分中延伸；以及

辅助磁体组件，其包括具有所述第一磁极性的部分，该部分布置在所 述主磁控管的外部并与所述间隙的所述弯曲部分相邻。

15.根据权利要求14所述的溅射室，其中，所述辅助磁体组件的每个 包括辅助磁控管，所述辅助磁控管包括具有所述第一磁极性的第三磁极和 包围所述第三磁极并具有所述第二磁极性的第四磁极。

16.一种在等离子体溅射室中的平面板上进行溅射的方法，所述等离 子体溅射室包括权利要求1-13中任一项所述的磁控管组件，所述方法包 括：

(a)在所述磁控管组件静止的同时，对设置在所述等离子体溅射室 中的面板进行溅射；

(b)在所述溅射停止期间，移动所述磁控管组件；以及

(c)在将其他的面板设置在所述等离子体溅射室中的情况下返回到 步骤(a)。