[发明专利]电流检测电路以及电流方式型开关调节器有效
| 申请号: | 200810088182.7 | 申请日: | 2008-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN101247087A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
| 发明(设计)人: | 上原治 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;刘宗杰 |
| 地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电流 检测 电路 以及 方式 开关 调节器 | ||
技术领域
本发明涉及使用直流输入电源、根据输出电压以及输出电流的检测值控制输出电压的电流方式开关调节器以及其中使用的电流检测电路。
背景技术
作为电流方式降压型开关调节器,使用图5表示的结构的电路(例如参照专利文献1)。
在该电路中,通过接通开关107,从电源向线圈108流过电流,输入电压Vi作为电能(即电荷)在线圈108内积蓄,同时在输出电容器112内积蓄。另外,通过关断开关107,在输出电容器112内积蓄的电能通过电荷放电。
因此,图5的电流方式降压型开关调节器,对于线圈108积蓄的电能,向负荷供给通过输出电容器112平均化(积分)后的电压。
误差放大器101,对于反转输入端子输入用电阻110以及电阻111分压输出电压的检测电压,对于非反转输入端子输入从基准电压源100输出的基准电压Vref,放大上述检测电压和基准电压Vref的差,把放大后的结果作为检测放大电压向比较器105的反转输入端子输出。
I/V电路121检测流过线圈108的电流,生成与该电流对应的电压,向加法器103的一个输入端子输出。
I/V电路122检测流过负荷的电流,生成与该电流对应的电压,向加法器103的另一个输入端子输出。
加法器103,相加分别从一个输入端子以及另一个输入端子输入的电压,把相加两者的结果作为补偿电压,向比较器105的非反转输入端子输出。
亦即,上述补偿电压,是使用与负荷或者线圈108串联的检测器检测流过各元件的电流,把与流过负荷或者线圈108的电流的电流值成比例的值变换为电压值,通过加法器103相加的电压。
比较器105,在反转输入端子上输入上述检测放大电压,在非反转输入端子上输入补偿电压,比较检测放大电压以及补偿电压,把比较结果作为控制信号,向SR-锁存器106的复位端子R输出。因此,随输出电压升高,误差放大器101输出的检测放大电压上升,比较器105,在检测放大电压超过补偿电压的场合,使控制信号从H电平变化为L电平。另外,比较器105,在检测放大电压比补偿电压低的场合,使控制信号从L电平变化为H电平。
因此,SR-锁存器106向置位端子从振荡器104输入一定周期的时钟信号,当被置位时把开关信号作为H电平,当输入H电平的控制信号时把输出复位,把开关信号作为L电平。开关107,在输入的开关信号是H电平的状态下导通,在L电平的状态下关断。
【专利文献1】特开2002-281742号公报
如上所述,电流方式降压型开关调节器,因为根据输出电压和输出电流两者的反馈信息生成输出电压,所以控制控制开关107的导通/关断状态的开关信号的负载率(duty)。
但是,在现有技术例子中,检测输入加法器103的电流信息的电流检测电路,因为从微小的电流生成微小的电压,因为用双极或者双CMOS(双极和CMOS混存)形成,所以有工艺复杂而且不能缩小这样的缺点。
发明内容
本发明是鉴于这样的事情做出的发明,其目的在于提供一种电流检测电路,该电流检测电路全部用CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)生成,与现有技术例比较,能够使工艺简单化,能够缩小芯片尺寸。
本发明的电流检测电路(实施形式中的电流传感电路),是检测流过被测定对象(实施形式中的线圈L)的电流、把与该电流对应的电压作为检测结果输出的电流检测电路(在实施形式中,在电流方式型开关调节器中,是生成与流过线圈的线圈电流的电流值对应的传感电压的电流检测电路,该传感电压通过补偿斜波波形的电压被倾斜补偿,用于电压控制),其特征在于,具有,第一P沟道晶体管(实施形式中的P沟道晶体管M11),其源极连接电源,栅极接地,流过驱动被测定对象的晶体管的1/N电流;第二P沟道晶体管(实施形式中的P沟道晶体管M12),其源极连接该第一P沟道晶体管的漏极;第三P沟道晶体管(实施形式中的P沟道晶体管M9),其在使电流流过线圈的晶体管(实施形式中的P沟道晶体管M1)的漏极上连接;电压镜像电路(本实施形式中的电压镜像电路20),其一个端子连接所述第二P沟道晶体管的漏极,另一个端子连接所述第三P沟道晶体管的漏极,使所述端子和另一端子的电压相同;和第一N沟道晶体管(本实施形式中的N沟道晶体管M5),其漏极连接所述第一P沟道晶体管的漏极,源极通过传感电阻接地,在栅极上施加在饱和区域中工作的电压,所述第一N沟道晶体管把源极电压作为所述传感电压输出。
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