[发明专利]功率因素校正电路与其电源供应装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种功率因素校正电路与其电源供应装置，且特别是有关于一种可以降低电磁干扰(electromagnetic interference，EMI)的功率因素校正电路与其电源供应装置。

背景技术

在各种电子装置的评估标准中，电磁相容性(Electromagnetic Compatibility，EMC)是一关键的品质指标。电磁相容性的评估包括电磁干扰(Electromagnetic Interference，EMI)以及抗电磁干扰(Electromagnetic Susceptibility，EMS)。因为，现行电子装置的信号传输速度愈来愈快，所以配备于电子装置内部的电子元件所造成的电磁干扰会愈来愈严重，进而影响电子装置中其他电子元件的正常运作。

一般来说，电磁干扰主要透过电源供应器传入电路中。因此，在伺服器中，为了要通过相应的标准，则电源供应器的电磁干扰测试也是一个很关键的测试专案。另外，现在的电源供应器通常会配置至少一个开关元件，并通过控制此开关元件的导通与截止来产生所欲输出的电压。

然而，随着开关反复的切换，电源供应器可能会造成的电磁干扰也随之增加。虽然，现有的电源供应器利用不断变化其内部脉宽调制(Power Width Modulation，PWM)信号的频率来降低电磁干扰。但是，如何让脉宽调制信号的频率产生变化，并且同时保持电源输出的稳定则是一个重要的课题。

发明内容

本发明提供一种功率因素校正电路，可以对脉宽调制信号的频率进行调整，以达到降低电磁干扰的现象。

本发明提供一种电源供应装置，通过调整其内部的脉宽调制信号的频率，以降低电磁干扰的现象。

本发明提出一种功率因素校正电路，其包括升压转换器、第一电容、第一电阻与升压控制单元。升压转换器具有输入端、输出端以及接地端，用以依据脉宽调制信号而将输入端所传送的整流电压转换成输出端所传送的校正电压。第一电容的第一端耦接至输入端。第一电阻的第一端耦接至第一电容的第二端，其第二端耦接至接地端。升压控制单元耦接至第一电阻的第一端与第二端、输入端以及输出端，此升压控制单元以一斜波信号为基准来产生脉宽调制信号，并依据流经第一电阻的电流、整流电压以及校正电压来调整脉宽调制信号的工作周期与频率。

另外，升压控制单元包括信号产生器与频率控制器。信号产生器用以产生斜波信号，并依据一充电电流来调整斜波信号的斜率。频率控制器耦接至信号产生器与输入端，用以依据整流电压来调整充电电流。

在本发明一实施例中，上述升压转换器包括电感、第一晶体管、二极管与第二电容。电感的第一端耦接至升压转换器的输入端。第一晶体管的栅极端接收脉宽调制信号，其漏极端耦接至电感的第二端，其源极端耦接至升压转换器的接地端。二极管的阳极端耦接至第一晶体管的漏极端，其阴极端耦接至升压转换器的输出端。第二电容C2的第一端耦接至二极管的阴极端，其第二端耦接至升压转换器的接地端。另外，上述第一晶体管为NMOS晶体管。

在本发明一实施例中，上述信号产生器包括第二电阻、第二晶体管、第三晶体管、第三电容、第四晶体管与比较器。第二电阻的第一端接收充电电流，其第二端耦接至地端。第二晶体管的发射极端接收第一电压，其基极端与集电极端耦接至第二电阻的第一端。第三晶体管的发射极端耦接至第二晶体管的发射极端，其基极端耦接至第四晶体管的基极端。第三电容的第一端耦接至第三晶体管的集电极端，其第二端耦接至地端。第四晶体管的漏极端耦接至第三晶体管的集电极端，其源极端耦接至地端。比较器的第一输入端耦接至第四晶体管的漏极端，其第二输入端接收第二电压，其输出端耦接至第四晶体管的栅极端。

在本发明一实施例中，上述第二晶体管与第三晶体管为PNP双极性晶体管。另外，上述第四晶体管为NMOS晶体管。

在本发明一实施例中，上述频率控制器包括第三电阻、第五晶体管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第四电容、第六晶体管、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第五电容C5与第十二电阻。第三电阻的第一端耦接至信号产生器，其第二端耦接至地端。第五晶体管的集电极端耦接至第三电阻的第一端。第四电阻的第一端耦接至第五晶体管的发射极端，其第二端耦接至地端。第五电阻的第一端接收整流电压。第六电阻的第一端耦接至第五电阻的第二端。