[发明专利]功率因素校正电路与其电源供应装置

权利要求书

1.一种功率因素校正电路，包括：

一升压转换器，具有一输入端、一输出端以及一接地端，用以依据一脉宽调制信号而将该输入端所传送的一整流电压转换成该输出端所传送的一校正电压；

一第一电容，其第一端耦接至该输入端；

一第一电阻，其第一端耦接至该第一电容的第二端，其第二端耦接至该接地端；以及

一升压控制单元，耦接至该第一电阻的第一端与第二端、该输入端以及该输出端，该升压控制单元以一斜波信号为基准来产生该脉宽调制信号，并依据流经该第一电阻的电流、该整流电压以及该校正电压来调整该脉宽调制信号的工作周期与频率，其中该升压控制单元包括：

一信号产生器，用以产生该斜波信号，并依据一充电电流来调整该斜波信号的斜率；以及

一频率控制器，耦接至该信号产生器与该输入端，用以依据该整流电压来调整该充电电流。

2.如权利要求1所述的功率因素校正电路，其特征在于，该升压转换器包括：

一电感，其第一端耦接至该升压转换器的该输入端；

一第一晶体管，其栅极端接收该脉宽调制信号，其漏极端耦接至该电感的第二端，其源极端耦接至该升压转换器的该接地端；

一二极管，其阳极端耦接至该第一晶体管的漏极端，其阴极端耦接至该升压转换器的该输出端；以及

一第二电容，其第一端耦接至该二极管的阴极端，其第二端耦接至该升压转换器的该接地端。

3.如权利要求2所述的功率因素校正电路，其特征在于，该第一晶体管为NMOS晶体管。

4.如权利要求1所述的功率因素校正电路，其特征在于，该信号产生器包括：

一第二电阻，其第一端接收该充电电流，其第二端耦接至一地端；

一第二晶体管，其发射极端接收一第一电压，其基极端与集电极端耦接至该第二电阻的第一端；

一第三晶体管，其发射极端耦接至该第二晶体管的发射极端，其基极端耦接至该第二晶体管的基极端；

一第三电容，其第一端耦接至该第三晶体管的集电极端，其第二端耦接至该地端；

一第四晶体管，其漏极端耦接至该第三晶体管的集电极端，其源极端耦接至该地端；以及

一比较器，其第一输入端耦接至该第四晶体管的漏极端，其第二输入端接收一第二电压，其输出端耦接至该第四晶体管的栅极端。

5.如权利要求4所述的功率因素校正电路，其特征在于，该第二晶体管与该第三晶体管为PNP双极性晶体管。

6.如权利要求4所述的功率因素校正电路，其特征在于，该第四晶体管为NMOS晶体管。

7.如权利要求1所述的功率因素校正电路，其特征在于，该频率控制器包括：

一第三电阻，其第一端耦接至该信号产生器，其第二端耦接至一地端；

一第五晶体管，其集电极端耦接至该第三电阻的第一端；

一第四电阻，其第一端耦接至该第五晶体管的发射极端，其第二端耦接至该地端；

一第五电阻，其第一端接收该整流电压；

一第六电阻，其第一端耦接至该第五电阻的第二端；

一第七电阻，其第一端耦接至该第六电阻的第二端，其第二端耦接至该第五晶体管的基极端；

一第八电阻，其第一端耦接至该第七电阻的第二端，其第二端耦接至该地端；

一第四电容，其第一端耦接至该第八电阻的第一端，其第二端耦接至该地端；

一第六晶体管，其集电极端耦接至该第四电容的第一端；

一第九电阻，其第一端耦接至该第六晶体管的发射极端，其第二端耦接至该地端；

一第十电阻，其第一端接收正比于该整流电压的一直流电压，其第二端耦接至该第六晶体管的基极端；

一第十一电阻，其第一端耦接至该第十电阻的第二端，其第二端耦接至地端；

一第五电容，其第一端耦接至该第十电阻的第一端，其第二端耦接至地端；以及

一第十二电阻，其第一端耦接该第五电容的第一端，其第二端耦接至地端。

8.如权利要求7所述的功率因素校正电路，其特征在于，该第五晶体管与该第六晶体管为NPN双极性晶体管。