[发明专利]防护薄膜组件的制造方法及防护薄膜组件无效
| 申请号： | 200810087646.2 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101281363A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 白崎享 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防护 薄膜 组件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种防护薄膜组件的制造方法，该防护薄膜组件用于半导体制造用曝光装置或液晶制造用曝光装置，且具有由氟树脂所构成的防护薄膜，该制造方法的特征为：
将该防护薄膜从形成该薄膜的基板剥离后，予以加热。
2.如权利要求1的防护薄膜组件的制造方法，其中，
加热的温度未达防护薄膜的玻璃转变点的温度。
3.一种防护薄膜组件，用于半导体制造用曝光装置或是液晶制造用曝光装置，其特征为：
具有抗拉强度为390kgf/cm2以上的防护薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社，未经信越化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810087646.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于访问可移动存储介质的拾取器及具有其的驱动器
- 下一篇：重质蜡增注分流剂
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
