[发明专利]双功率开关与使用双功率开关的电源供应电路无效
申请号: | 200810087632.0 | 申请日: | 2008-03-25 |
公开(公告)号: | CN101546959A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 龚能辉;朱冠任;陈俊聪;邱子寰 | 申请(专利权)人: | 立锜科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 开关 使用 电源 供应 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种双功率开关与使用双功率开关的电源供应电路。
背景技术
电源供应电路(voltage regulator)包括线性电源供应电路(linear regulator)、降压式(buck converter)、升压式(boost converter)、升降 压式(buck-boost converter)、反压式(inverter converter)、返驰式 (fly-back converter)、交直流转换式(AC-DC converter)等。在上述 各种电源供应电路中,都必须使用功率开关。一般而言,如图1和图2 所示,功率开关或是单独使用PMOS晶体管(图1的10)、或是单独使 用NMOS晶体管(图2的20)。当功率开关10或20导通时,电流自 输入端Vin流至输出端Vout(视电源供应电路的结构而定,此输出端 Vout不一定是电源供应电路对负载电路的输出端;在本说明书中,输 入端Vin与输出端Vout分别指功率开关的两端)。功率开关10或20的 操作由控制电路15、25所控制。在某些应用下,由于NMOS功率开关 20需要较高的栅极电压,因此可能尚需搭配电荷泵23来升压,使控制 电路25可以获得所需的较高电压。
上述现有技术的缺点在于:单独使用PMOS晶体管时,其导通电 阻较高;单独使用NMOS晶体管时,功率耗损较高。电路设计者须根 据应用场合来判断使用何种晶体管,而不能兼有两者之长。
有鉴于以上缺点,本发明提出一种双功率开关结构。
发明内容
本发明的第一目的是针对现有技术的不足,提出一种双功率开关。
本发明的第二目的在于提出一种电源供应电路。
为达上述目的,从其中一个角度而言,本发明提供了一种双功率 开关,包含:并联的PMOS功率开关和NMOS功率开关,当通过该PMOS 功率开关的电流量大于一预定值时,该NMOS功率开关启动,当通过 该PMOS功率开关的电流量不大于该预定值,且通过该NMOS功率开 关的电流量不大于另一预定值时,该NMOS功率开关停止操作。PMOS 功率开关和NMOS功率开关各自根据预设的条件而操作,例如可根据 双功率开关两端压差或任一功率开关的电流量而操作。
为达上述目的,从另一个角度而言,本发明提供了一种双功率开 关,其包含并联的PMOS功率开关和NMOS功率开关,另包含有第一 和第二控制电路,以分别控制该PMOS功率开关和NMOS功率开关的 操作,还包含有判断电路,该判断电路包括一比较器,该比较器根据 该双功率开关两端的压差而产生比较结果,以决定是否使能第一或第 二控制电路或两者。
本发明还提供了一种双功率开关,其包含并联的PMOS功率开关 和NMOS功率开关,另包含有第一和第二控制电路,以分别控制该 PMOS功率开关和NMOS功率开关的操作,还包含有判断电路,该判 断电路包括:第一比较器,将代表该PMOS功率开关电流量的讯号与 第一参考电压比较;第二比较器,将代表该NMOS功率开关电流量的 讯号与第二参考电压比较;以及逻辑电路,对第一与第二比较器的输 出进行逻辑运算,以决定是否使能第一或第二控制电路或两者。
本发明也提供了一种使用上述双功率开关的电源供应电路。
下面通过对具体实施例详加说明,当更容易了解本发明的目的、 技术内容、特点及其所达成的功效。
附图说明
图1与图2为现有技术的示意电路图;
图3为示意电路图,示出本发明的一个实施例;
图4为示意电路图,示出本发明的另一个实施例;
图5为图3电路的更具体实施例;
图6为图4电路的更具体实施例;
图7与图8标出本发明的双功率开关应用于降压式电源供应电路 的应用例。
图中符号说明
10 PMOS晶体管
15 控制电路
20 NMOS晶体管
23 电荷泵
25 控制电路
30 判断电路
31、32 使能讯号
33 比较器
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