[发明专利]双功率开关与使用双功率开关的电源供应电路无效
申请号: | 200810087632.0 | 申请日: | 2008-03-25 |
公开(公告)号: | CN101546959A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 龚能辉;朱冠任;陈俊聪;邱子寰 | 申请(专利权)人: | 立锜科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 开关 使用 电源 供应 电路 | ||
1.一种双功率开关,其特征在于,包含并联的PMOS功率开关和 NMOS功率开关,当通过该PMOS功率开关的电流量大于一预定值时, 该NMOS功率开关启动,当通过该PMOS功率开关的电流量不大于该 预定值,且通过该NMOS功率开关的电流量不大于另一预定值时,该 NMOS功率开关停止操作。
2.一种双功率开关,其特征在于,包含并联的PMOS功率开关和 NMOS功率开关,另包含有第一和第二控制电路,以分别控制该PMOS 功率开关和NMOS功率开关的操作,还包含有判断电路,该判断电路 包括一比较器,该比较器根据该双功率开关两端的压差而产生比较结 果,以决定是否使能第一或第二控制电路或两者。
3.如权利要求2所述的双功率开关,其中,该比较器为磁滞比较 器。
4.一种双功率开关,其特征在于,包含并联的PMOS功率开关和 NMOS功率开关,另包含有第一和第二控制电路,以分别控制该PMOS 功率开关和NMOS功率开关的操作,还包含有判断电路,该判断电路 包括:
第一比较器,将代表该PMOS功率开关电流量的讯号与第一参考 电压比较;
第二比较器,将代表该NMOS功率开关电流量的讯号与第二参考 电压比较;以及
逻辑电路,对第一与第二比较器的输出进行逻辑运算,以决定是 否使能第一或第二控制电路或两者。
5.一种电源供应电路,其特征在于,该电源供应电路使用如权利 要求1、2、3或4所述的双功率开关。
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