[发明专利]探针卡无效

专利信息
申请号: 200810086830.5 申请日: 2008-03-19
公开(公告)号: CN101271126A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 朴雄纪;申咏佑 申请(专利权)人: 美高TN株式会社
主分类号: G01R1/02 分类号: G01R1/02;G01R1/073;G01R31/28
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;冯敏
地址: 韩国京畿道安城*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 探针
【说明书】:

技术领域

发明的示例性实施例涉及一种探针卡,更具体地讲,涉及一种包括与用于半导体装置的传导垫接触的探针的探针卡。

背景技术

通常通过一系列的单元工艺(例如,加工工艺(fab process)、电芯片分类(electrical die sorting,EDS)工艺和封装工艺)来制造半导体装置。在加工工艺中,在半导体基底(例如,硅晶片)上装配各种电路和装置,在EDS工艺中,检查电路的电学特性并检测晶片中有缺陷的芯片。然后,将所述装置与晶片单独分开,在封装工艺中,将每个装置密封在环氧树脂中并封装成单独的半导体装置。

可通过检查工具(例如,探针卡)来执行用于检测半导体装置中有缺陷的芯片的EDS工艺。探针卡的多个探针与半导体装置接触,并且电信号被施加到探针卡,通过探针检测关于电信号的响应信号,从而检测半导体装置的有缺陷的芯片。探针卡通常包括具有电路图案的第一结构、在其底表面上具有多个探针的第二结构以及用于将电路图案和所述探针电连接的连接器。

当前,探针卡的尺寸具有随着晶片尺寸的增加而增加的趋势。但是,探针卡的大尺寸会引起第二基底结构的偏转,由于第二基底结构的偏转而使第二基底结构的探针可能不会分布在同一平面上。因此,会出现探针和半导体装置的传导垫的接触失败,从而使探针卡的可靠性变差。

发明内容

因此,本发明提供了一种用于防止基底结构的偏转并改善基底结构的水平面的探针卡。

根据本发明的各方面,提供了一种探针卡,该探针卡包括:第一基底结构,具有在其中央部分的多个第一通孔和在其上表面上的电路图案;第二基底结构,与第一基底结构的下表面接触。第二基底结构包括分别连接到第一基底结构的第一通孔的多个通孔、位于第二基底结构的上表面的多个螺钉孔和位于第二基底结构的下表面的多个探针。探针卡还包括:柔性连接介质,该柔性连接介质通过第一基底结构的第一通孔和第二基底结构的所述通孔电连接到电路图案和探针;多个支撑螺钉,穿透第一基底结构并选择性地结合到第二基底结构的所述螺钉孔,从而控制第二基底结构的水平面;多个压紧螺钉,穿透第一基底结构并选择性地围绕螺钉孔压住第二基底结构,从而控制第二基底结构的水平面。

在示例性实施例中,所述支撑螺钉和所述压紧螺钉彼此代替。

在示例性实施例中,该探针卡还可包括中央螺钉,所述中央螺钉穿透第一基底结构并选择性地结合到第二基底结构的中央部分,从而控制第二基底结构的水平面。

在示例性实施例中,第二基底结构包括:基底,与第一基底结构的下表面接触,并且包括分别连接到第一基底结构的第一通孔的多个第二通孔;多个引导杆,结合到所述基底的下表面,并包括分别连接到所述基底的第二通孔的多个第三通孔;多个引导构件,所述引导构件的每个结合到所述引导杆的每个,并且包括多个第四通孔,从而每个探针通过第四通孔被结合到每个引导构件,第二基底结构的所述通孔包括所述第二通孔和所述第三通孔。每个引导杆通过至少一个结合螺钉被结合到所述基底。多个结合螺钉沿着所述引导杆的边缘部分布置,从而所述引导杆可被防止向下下垂。

在示例性实施例中,所述探针卡还可包括:下辅助板,结合到第一基底结构的下表面,并且包括第六通孔,第二基底结构位于所述第六通孔中;多个弹性构件,固定到下辅助板并与第二基底结构的下表面接触,从而支撑第二基底结构。所述弹性构件可包括片簧。

在示例性实施例中,所述探针卡还可包括:多个边缘螺钉,穿透第一基底结构,并将压力施加到第二基底结构的边缘部分,从而控制第二基底结构的水平面;多个支撑件,与所述边缘螺钉和第二基底结构的边缘部分接触,并将由边缘螺钉引起的压力传递到第二基底结构。所述支撑件可呈球形。所述探针卡还可包括多个增强构件,所述增强构件介于所述支撑件与第二基底结构的上表面的边缘部分之间,并且具有比第二基底结构的强度大的强度。所述增强构件可插入到第二基底结构中,从而每个增强构件的顶表面与第二基底结构的上表面共面。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美高TN株式会社,未经美高TN株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810086830.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top