[发明专利]晶体器件及其密封方法

权利要求书

1.一种晶体器件，其特征在于，该晶体器件具有晶体振动片和由多个结构部件构成的封装，使用金属糊剂密封材料来接合所述结构部件，并在所述封装内气密地密封所述晶体振动片，该金属糊剂密封材料是将平均粒径0.1～1.0μm的金属粒子、有机溶剂和树脂材料以88～93重量％、5～15重量％、0.01～4.0重量％的比例来进行调合得到的。

2.根据权利要求1所述的晶体器件，其特征在于，所述金属糊剂密封材料的所述金属粒子由Au、Ag、Pt或Pd中的一种或两种以上构成。

3.根据权利要求1或2所述的晶体器件，其特征在于，所述多个结构部件具有：将一体地结合了所述晶体振动片和外框的中间晶体板；以及通过所述金属糊剂密封材料与所述中间晶体板的上下各表面分别接合的上侧基板以及下侧基板，

所述上侧基板由形成有用于驱动所述晶体振动片的集成电路的硅材料构成、且在其下表面具有与所述集成电路连接的端子，所述中间晶体板在所述外框上表面具有设置在与所述上侧基板的所述端子对应的位置上的端子，所述上侧基板的所述端子和所述中间晶体板的所述端子通过导电连接材料直接连接。

4.根据权利要求1或2所述的晶体器件，其特征在于，所述多个结构部件具有：构成上部开放的箱体且在其内部安装有所述晶体振动片的基座；以及利用所述金属糊剂密封材料与所述基座的上端面气密地接合的盖，

所述盖由形成有用于驱动所述晶体振动片的集成电路的硅材料构成、且在其下表面具有与所述集成电路连接的端子，在所述基座的所述上端面具有设置在与所述盖的所述端子对应的位置上的端子，所述盖的所述端子和所述基座的所述端子通过导电连接材料直接连接。

5.一种晶体器件的密封方法，其特征在于，为了在一体地结合了晶体振动片和外框的中间晶体板的上下各表面分别接合上侧基板以及下侧基板，并在被它们之间所划定的内腔内气密地密封所述晶体振动片，而使所述中间晶体板在所述外框的上表面以及下表面具有金属薄膜，并且使所述上侧基板以及所述下侧基板分别在与所述外框的接合面上具有金属薄膜，

该晶体器件的密封方法包括如下的处理工序：

第1一次烧结处理工序，在该工序中，对所述外框上表面的所述金属薄膜或所述上侧基板的所述金属薄膜中的至少一方，涂覆权利要求1或2所记载的金属糊剂密封材料并加热，从而形成具有杨氏模量为9～16GPa以及密度为10～17g/cm³的多孔结构的一次烧结体；

第2一次烧结处理工序，在该工序中，对所述外框下表面的所述金属薄膜或所述下侧基板的所述金属薄膜中的至少一方，涂覆所述金属糊剂密封材料并加热，从而形成具有杨氏模量为9～16GPa以及密度为10～17g/cm³的多孔结构的一次烧结体；

第1二次烧结处理工序，在该工序中，使形成有这些所述一次烧结体的一方所述金属薄膜和另一方所述金属薄膜接触并重合，并对所述一次烧结体加压而使其金属粒子致密地重新结晶化，从而将所述中间晶体板和所述上侧基板在所述外框气密地进行接合；以及

第2二次烧结处理工序，在该工序中，使形成有这些所述一次烧结体的一方所述金属薄膜和另一方所述金属薄膜接触并重合，并对所述一次烧结体加压而使其金属粒子致密地重新结晶化，从而将所述中间晶体板和所述下侧基板在所述外框气密地进行接合。

6.一种晶体器件的密封方法，其特征在于，为了在构成上部开放的箱体且在其内部安装有晶体振动片的基座的上端面上接合盖来气密地密封，而使所述基座在其所述上端面具有金属面，并且使所述盖在与所述上端面的接合面上具有金属面，

该晶体器件的密封方法包括如下的处理工序：

一次烧结处理工序，在该工序中，对所述基座上端面的所述金属面或所述盖的所述金属面中的至少一方，涂覆权利要求1或2中所记载的金属糊剂密封材料并加热，从而形成具有杨氏模量为9～16GPa以及密度为10～17g/cm³的多孔结构的一次烧结体；以及

二次烧结处理工序，在该工序中，使形成有这些所述一次烧结体的一方所述金属面和另一方所述金属面接触并重合，并对所述一次烧结体加压而使其金属粒子致密地重新结晶化，从而将所述盖气密地接合到所述基座上。

7.根据权利要求5所述的晶体器件的密封方法，其特征在于，所述上侧基板以及所述下侧基板由晶体构成。