[发明专利]高纯度硅的制造方法无效
| 申请号： | 200810085082.9 | 申请日： | 2008-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101269814A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 林田智 | 申请（专利权）人： | 智索株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/039 | 分类号： | C01B33/039 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 制造 方法 | ||
1、一种高纯度硅的制造方法，其特征在于其包括如下步骤：
使金属硅和氯化氢气体进行反应的第一步骤；
对所述第一步骤获得的反应生成物进行蒸馏而获得四氯化硅的第二步骤；
在温度为800℃～1200℃的反应炉内，使所述第二步骤获得的四氯化硅和锌气体进行气相反应而生成高纯度硅的第三步骤；
使所述第三步骤中副生的氯化锌和氢气进行反应的第四步骤；以及
从所述第四步骤获得的反应生成物中分离回收锌和氯化氢的第五步骤，
将所述第五步骤中经分离回收的锌用作供所述第三步骤的反应的锌气体的原料，且将所述第五步骤中经分离回收的氯化氢用作供所述第一步骤的反应的氯化氢气体的原料。
2、根据权利要求1所述的高纯度硅的制造方法，其特征在于，供所述第四步骤的反应的氯化锌是430℃～900℃的氯化锌气体。
3、根据权利要求1或2所述的高纯度硅的制造方法，其特征在于，所述第四步骤中氯化锌和氢气的反应是在700℃～1500℃的温度下进行的。
4、根据权利要求1或2所述的高纯度硅的制造方法，其特征在于，在所述第五步骤中，待所述第四步骤中获得的反应生成物冷却到小于等于50℃之后，锌以粉体锌状态被分离回收，氯化氢经水吸收后被分离回收。
5、根据权利要求1或2所述的高纯度硅的制造方法，其特征在于，在所述第五步骤中，还包括分离回收未反应的氢气，并将所述未反应的氢气用作供所述第四步骤的反应的氢气。
6、根据权利要求1或2所述的高纯度硅的制造方法，其特征在于，在所述第二步骤中，分离回收所述第一步骤中副生的氢气，并将所述副生氢气用作供所述第四步骤的反应的氢气。
7、根据权利要求1或2所述的高纯度硅的制造方法，其特征在于，将所述第三步骤中排出的反应气体冷却到小于等于732℃的温度，从而将以液体状态从所述反应气体中分离回收的氯化锌提供给所述第四步骤，将以粉体锌状态从所述反应气体中分离回收的锌用作供所述第三步骤的锌气体的原料，并且将从所述反应气体中分离回收的四氯化硅用作供所述第三步骤的四氯化硅。
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