[发明专利]基准电流电路

权利要求书

1、一种基准电流电路，包括：

电压产生电路，用于由温度补偿的基准电压在输出点处产生预定电压；和

电流源电路，包括由(i)通过电阻器连接到所述输出点的第一半导体器件和(ii)接收等于第一半导体器件端子间电压的电压，从而产生与接收的电压相对应的电流的第二半导体器件所构成的电流镜，其中，

电压产生电路(i)包括第三半导体器件，其端子间电压具有与第一半导体器件端子间电压的温度特性相同的温度特性，并且(ii)被构造为该预定电压是(a)基于基准电压的温度补偿电压成分和(b)等于第三半导体器件的端子间电压的电压成分之和。

2、根据权利要求1所述的基准电流电路，其特征在于，

所述电压产生电路由非反相放大器电路构成，该非反相放大器电路的反馈路径中包括所述第三半导体器件。

3、根据权利要求1所述的基准电流电路，其特征在于，

电压产生电路(i)还包括放大器电路、第一电阻器和第二电阻器，所述放大器电路具有反相输入端子、非反相输入端子和输出端子，并且(ii)被构造为使得(a)所述基准电压被输入到非反相输入端子中，(b)所述输出端子处的电压被作为预定电压输出，(c)所述第一电阻器被插入到第一布线中连接所述反相输入端子和接地端子，(d)所述第二电阻器被插入到第二布线中连接所述输出端子和所述反相输入端子，以及(e)所述第三半导体器件被插入到第二布线中。

4、根据权利要求3所述的基准电流电路，其特征在于，

所述第一和第三半导体器件都是连接二极管的双极晶体管。

5、根据权利要求3所述的基准电流电路，其特征在于，

所述第一和第三半导体器件都是P-N结二极管。

6、根据权利要求3所述的基准电流电路，其特征在于，

所述第一和第三半导体器件都是连接二极管的半导体金属氧化物晶体管。

7、根据权利要求1所述的基准电流电路，其特征在于，

所述电压产生电路(i)还包括电压跟随器和电阻器，并且被构造为使得(a)电阻器被插入到布线中连接电源端子和所述电压跟随器的输入点，(b)所述第三半导体器件被插入到布线中连接基准电压的接收点和所述电压跟随器的输入点，以及(c)所述电压跟随器的输出点处的电压被作为预定电压输出。

8、根据权利要求7所述的基准电流电路，其特征在于，

所述第一和第三半导体器件都是连接二极管的双极晶体管。

9、根据权利要求7所述的基准电流电路，其特征在于，

所述第一和第三半导体器件都是P-N结二极管。

10、根据权利要求7所述的基准电流电路，其特征在于，

所述第一和第三半导体器件都是连接二极管的半导体金属氧化物晶体管。

11、根据权利要求7所述的基准电流电路，其特征在于，

所述电阻器是(i)其基极接收偏置电压输入的双极晶体管和(ii)其栅极接收偏置电压输入的半导体金属氧化物晶体管中的一个。

12、根据权利要求1所述的基准电流电路，其特征在于，

所述电压产生电路(i)还包括第一反相放大器电路、第二反相放大器电路和电阻器，以及(ii)被构造为使得(a)所述电阻器和所述第三半导体器件被顺序插入到布线中从电源端子连接到接地端子，(b)布线上所述电阻器和第三半导体器件之间的中间点处的电压被输入到所述第一反相放大器电路，(c)所述第一反相放大器电路的输出电压被输入到所述第二反相放大器电路，(d)所述第二反相放大器电路的输出电压被作为预定电压输出，(e)接地电压被输入到所述第一反相放大器电路的非反相输入端子，以及(f)所述基准电压被输入到所述第二反相放大器电路的非反相输入端子中。

13、根据权利要求12所述的基准电流电路，其特征在于，

所述第一和第三半导体器件都是连接二极管的双极晶体管。

14、根据权利要求12所述的基准电流电路，其特征在于，

所述第一和第三半导体器件都是P-N结二极管。

15、根据权利要求12所述的基准电流电路，其特征在于，

所述第一和第三半导体器件都是连接二极管的半导体金属氧化物晶体管。

16、根据权利要求12所述的基准电流电路，其特征在于，

所述电阻器是(i)其基极接收偏置电压输入的双极晶体管和(ii)其栅极接收偏置电压输入的半导体金属氧化物晶体管中的一个。