[发明专利]闪存介质扫描方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储介质领域，特别涉及一种闪存介质扫描方法。

背景技术

闪存介质(Flash)包括多个存储块简称块(Block，擦除闪存介质的基 本单位)，每个块包括多个页(Page，读写闪存介质的基本单位)，每个页包 括多个位(bit，取值为0或1)。可以实现取值从0到1和从1到0的逆转换 的位称为好位，否则认为是坏位，不能用于存储数据。为识别闪存介质是否 可以使用，需扫描其内部的块。现有一种闪存介质扫描的流程如图1所示， 判断某块是否好块的做法是将某块擦除，然后写数据到该块，再从每一页中读 出数据，与写入的数据相比较。当某页中出现写入和读出的数据不相同，则 认为该页是不可使用的页，简称坏页，坏页所在的块认为是不可使用的块， 简称坏块；若某页中所有写入和读出的数据都相同，则认为该页是好页，所 有页都是好页的块称为好块。对于包含较少坏块的闪存介质，采用上述扫描 方法就可以顺利完成识别。

随着闪存介质技术和应用的快速发展，闪存介质市场越来越大，容量越 来越高，开发商对闪存介质扫描效率和闪存介质良率的要求也越来越高。采 用上述的扫描技术能全面准确地完成扫描，但对一片大容量如1G的闪存介质 进行扫描往往需要半个小时甚至更久时间，速度慢效率低不适于实际生产应 用；上述的扫描技术可以单独运行几次扫描，分别产生扫描结果再整合形成 最终扫描结果，对于坏块较多的情况，坏块会被扫描多次。现有另一种扫描 技术可以提高扫描速度，但无法全面找出坏块，扫描结果准确度和可靠性不 强。

发明内容

本发明的目的在于提供一种针对闪存介质的扫描方法，以实现对闪存介 质的快速准确扫描。

本发明提供一种闪存介质扫描方法，包括步骤：对闪存介质进行擦除扫 描，产生擦除扫描结果；对闪存介质进行至少一扫描周期的扫描，分别产生 至少一周期扫描结果；整合擦除扫描结果和/或至少一周期扫描结果，形成最 终扫描结果。

优选地，上述擦除扫描包括步骤：将闪存介质所有块擦除；检查闪存介 质，判断数据是否正确擦除，找出未能正确擦除的坏块，产生擦除扫描结果； 擦除闪存介质中的好块。

优选地，上述进行至少一扫描周期的扫描包括步骤：将扫描数据写入闪 存介质；读取闪存介质中的数据，与写入的扫描数据相比较，将写入和读出 的数据存在不一致的块认为是坏块，否则认为是好块；擦除闪存介质中的好 块。

优选地，上述将扫描数据写入闪存介质的步骤是抽取其中至少一块、抽 取块中至少一页、页中至少一字节和/或至少一位，向其中写入扫描数据，读 取闪存介质中的数据是指从闪存介质中抽取写入了数据的至少一块、块中至 少一页、页中至少一字节和/或至少一位，读取其中的数据。

优选地，上述闪存介质扫描方法还包括：预设一坏位上限；对包含坏位 数不超过所述坏位上限的块，将其作为好块。

本发明提供的闪存介质扫描方法能快速准确扫描闪存介质，在短时间内 找出坏块并剔除，不用于后续的传统扫描过程，大大提高扫描速度又保留了 传统扫描过程所具有的全面性。

附图说明

图1是本发明现有技术扫描闪存介质的流程示意图；

图2是本发明第一实施例扫描流程示意图；

图3是本发明第二实施例擦除扫描流程示意图；

图4是本发明第二实施例擦除扫描部分具体流程示意图；

图5是本发明第三实施例快速扫描流程示意图；

图6是本发明第四实施例扫描闪存介质的具体流程示意图；

图7是本发明第五实施例对一块进行扫描的流程示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步 说明。

具体实施方式

本发明提出第一实施例，对闪存介质进行至少一扫描周期的扫描，整合 至少一扫描周期产生的周期扫描结果，形成最终扫描结果。

如图2所示，第一实施例扫描流程包括：

步骤S1，对闪存介质进行擦除扫描，产生擦除扫描结果；

步骤S2，对闪存介质进行至少一扫描周期的扫描，分别产生至少一周期 扫描结果；

步骤S3，整合擦除扫描结果和/或至少一周期扫描结果，形成最终扫描结 果。