[发明专利]LED背光装置和LCD装置有效
申请号: | 200810082330.4 | 申请日: | 2008-02-29 |
公开(公告)号: | CN101256309A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 远山广;中村幸夫 | 申请(专利权)人: | 日本冲信息株式会社 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357;F21V23/06;F21V9/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘杰;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | led 背光 装置 lcd | ||
1.一种LED背光装置,包括:
基板,具有透光性并具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;
LED薄膜分层结构,固定于所述基板的所述第一表面上,所述LED薄膜分层结构是由外延生长的无机材料层形成为P-N结装置;
阳极电极和阴极电极,形成于所述LED薄膜分层结构上;
阳极驱动器IC和阴极驱动器IC,用于驱动所述LED薄膜分层结构;
布线结构,其电连接所述阳极驱动器IC和所述LED薄膜分层结构的所述阳极电极,并电连接所述阴极驱动器IC和所述LED薄膜分层结构的所述阴极电极;以及
荧光体,形成于所述基板的所述第二表面上。
2.如权利要求1所述的LED背光装置,其中所述布线结构包括:
阳极布线,其形成于所述基板的所述第一表面上,用于连接所述阳极驱动器IC和所述LED薄膜分层结构的所述阳极电极;以及
阴极布线,其形成于所述基板的所述第一表面上,用于连接所述阴极驱动器IC和所述LED薄膜分层结构的所述阴极电极。
3.如权利要求1所述的LED背光装置,其中所述LED薄膜分层结构通过分子间力固定到所述基板的所述第一表面,并发射波长范围为300nm至450nm的近紫外线或紫外线。
4.如权利要求1所述的LED背光装置,其中所述荧光体是通过混合当暴露于波长范围为300nm至450nm的光时发射波长范围为620nm至710nm的红光的荧光体、当暴露于波长范围为300nm至450nm的光时发射波长范围为500nm至580nm的绿光的荧光体、以及当暴露于波长范围为300nm至450nm的光时发射波长范围为450nm至500nm的蓝光的荧光体,并涂覆所得到的混合材料来形成。
5.如权利要求1所述的LED背光装置,其中通过在与所述基板不同的基底材料上的牺牲层上外延生长无机材料层成为p-n结装置;通过使用刻蚀移除所述牺牲层以从所述基底材料剥离所述无机材料层;以及通过分子间力将所述无机材料层固定到所述基板,由此形成所述LED薄膜分层结构。
6.如权利要求1所述的LED背光装置,其中所述基板的所述第一表面是由有机绝缘膜或者无机绝缘膜形成并被平整化。
7.如权利要求1所述的LED背光装置,其中多个所述LED薄膜分层结构固定到所述基板的所述第一表面,所述LED薄膜分层结构在所述第一表面上以一定间距布置成行和列,
其中多个所述阳极电极和多个所述阴极电极分别形成于所述LED薄膜分层结构上。
8.如权利要求7所述的LED背光装置,其中所述布线结构包括分别形成于所述基板的所述第一表面上的阳极布线和阴极布线,
其中所述阳极布线连接所述阳极驱动器IC和所述LED薄膜分层结构的所述阳极电极,以及
其中所述阴极布线连接所述阴极驱动器IC和所述LED薄膜分层结构的所述阴极电极。
9.如权利要求7所述的LED背光装置,其中所述布线结构包括分别形成于所述基板的所述第一表面上的阳极布线、阴极布线以及互连布线,
其中所述阳极布线连接所述阳极驱动器IC和所述LED薄膜分层结构的每列或每行的末端LED薄膜分层结构的所述阳极电极,
其中所述阴极布线连接所述阴极驱动器IC和所述LED薄膜分层结构的每列或每行的末端LED薄膜分层结构的所述阴极电极,以及
其中所述互连布线串联连接每列或每行的所述LED薄膜分层结构。
10.如权利要求7所述的LED背光装置,其中通过在与所述基板不同的基底材料上的牺牲层上外延生长无机材料层成为p-n结装置;通过使用刻蚀移除所述牺牲层以从所述基底材料剥离所述无机材料层;通过分子间力将所述无机材料层固定到所述基板;以及使用刻蚀将所述无机材料层划分成所述多个LED薄膜分层结构,由此形成所述LED薄膜分层结构。
11.如权利要求7所述的LED背光装置,还包括:
保护膜,形成为覆盖固定到所述基板的所述第一表面的所述LED薄膜分层结构;以及
反射膜,形成为覆盖所述保护膜,使得所述反射膜面向所述荧光体。
12.一种LCD装置,包括根据权利要求1的所述LED背光装置以及LCD面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本冲信息株式会社,未经日本冲信息株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810082330.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:非易失性半导体存储器及其制造方法
- 下一篇:不挥发性半导体存储装置